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通过电荷转移设计制造超薄分子超导体

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摘要

在衬底表面上形成显示出超导能隙的单层(BETS)

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2016-08-24

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L39/24 申请公布日:20121128 申请日:20110328

发明专利申请公布后的视为撤回
2013-04-24

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L39/24 申请日:20110328

实质审查的生效
2012-11-28

公开

公开

1. 通过电荷转移设计制造超薄分子超导体 [P] . 中国专利： CN102804434A . 2012-11-28
2. 一种超薄宽幅超高分子量聚乙烯彩色薄膜及其制造工艺 [P] . 中国专利： CN104742388A . 2015-07-01
3. Engineering of an ultra-thin molecular superconductor by charge transfer [P] . 美国专利： US9362476B2 . 2016-06-07

机译：通过电荷转移设计超薄分子超导体
4. ENGINEERING OF AN ULTRA-THIN MOLECULAR SUPERCONDUCTOR BY CHARGE TRANSFER [P] . 欧洲知识产权局专利： EP2553741B1 . 2014-10-29

机译：电荷转移的超薄分子超导体工程
5. ENGINEERING OF AN ULTRA-THIN MOLECULAR SUPERCONDUCTOR BY CHARGE TRANSFER [P] . 欧洲知识产权局专利： EP2553741A1 . 2013-02-06

机译：电荷转移的超薄分子超导体工程