TFT阵列检查的电子束扫描方法以及TFT阵列检查装置

摘要

本发明涉及TFT阵列检查的电子束扫描，即，对TFT基板的面板施加规定电压的检查信号以驱动阵列，对面板上照射电子束来进行扫描，并基于在该电子束扫描中检测到的检测信号来检查TFT基板的阵列，针对TFT阵列的沿源极方向排列的像素列或沿栅极方向排列的像素列，沿着与像素列的排列方向相同的方向来使电子束进行扫描，并且在进行扫描的像素列中的各像素中，将第1点的电子束照射位置与第2点的电子束照射位置设为在该像素内于对角线上夹着像素列的中心线而相向的位置，在对像素列扫描一次的期间内对该像素列进行二维扫描。由此，降低二次电子检测器的余辉时间的影响，减少缺陷检测的检测精度的下降，减少因噪声造成的缺陷误检测的发生。

说明书

技术领域

本发明涉及在液晶基板等的制造过程等中进行的薄膜晶体管(Thin  Film Transistor，TFT)阵列(array)检查，尤其涉及在TFT阵列检查中 进行的电子束扫描。

背景技术

对于液晶基板或有机电致发光(Electroluminescence，EL)基板等形 成有TFT阵列的半导体基板的制造过程而言，在制造过程中包含TFT阵列 检查步骤，在该TFT阵列检查步骤中，对TFT阵列进行缺陷检查。

TFT阵列例如被用作液晶显示装置的选择像素电极的开关元件。具备 TFT阵列的基板，例如平行地配设有作为扫描线发挥功能的多根栅极线 (gate line)，并且与栅极线正交地配设有记载为信号线的多根源极线 (source line)，在两线相交叉的部分的附近配设有TFT(Thin film  transistor)，像素电极连接于该TFT。

液晶显示装置是通过在设有上述TFT阵列的基板与对向基板之间包夹 液晶层而构成，在对向基板所具备的对向电极与像素电极之间形成有像素 电容。在像素电极上，除了上述像素电容以外，还连接着附加电容(Cs)。 该附加电容(Cs)的一端连接于像素电极，另一端连接于共用线或栅极线。 连接于共用线的结构的TFT阵列被称为Cs on Com型TFT阵列，连接于栅 极线的结构的TFT阵列被称为Cs on Gate型TFT阵列。

对于TFT阵列，在其制造过程(process)中有可能产生各种缺陷，因 而须进行缺陷检查，例如检查扫描线(栅极线)或信号线(源极线)的断 线、扫描线(栅极线)与信号线(源极线)的短路、因驱动像素的TFT的 特性不良造成的像素缺陷等。

在缺陷检查中，例如，对作为检查对象的基板的TFT阵列施加检查信 号以使阵列成为规定电位状态，并对基板上二维照射电子束或离子束(ion  beam)等的带电束来进行扫描，利用该射束扫描，通过光电倍增器 (photomultiplier)等将二次电子等转换为模拟(analog)信号以进行检 测，并基于该检测信号的信号强度来判定阵列缺陷。

TFT基板的阵列与像素(pixel)是对应地形成，通过对阵列施加驱动 信号，能够驱动特定的像素。在TFT阵列检查中，一般是对阵列施加规定 图案(pattern)的驱动信号，从而以规定图案来驱动形成在基板内的面板 (panel)的各像素，对这些像素照射电子束，并检测从照射点释放的二次 电子。通过在面板内以扫描的方式进行该电子束照射，从而从面板内的各 像素获取检测信号。

在针对像素的带电束的扫描中，以往是对各像素照射例如4×4点或者 4×3点的带电束并将照射点作为取样(sampling)点，从而对一像素检测 多个取样点的检测信号，并使用该检测信号来算出信号强度，所述信号强 度用于检测与像素对应的阵列的缺陷。

照射至各像素的电子束的照射点数取决于像素尺寸(size)等，但在 以往的电子束照射中，每一像素的电子束最低为4点。

图6(a)表示将每一像素的电子束的照射点数设为4点的例子。当设 各像素的源极方向(图面的横方向)的像素间距(pitch)为Ps，栅极方向 (图面的纵方向)的像素间距为Pg时，为了使每一像素的电子束的照射点 数为4，则须将源极方向的照射间隔(以下称作取样间距(sampling pitch)) Ns设为Ns＝Ps/2，将栅极方向的照射间隔(以下称作取样间距)Ng设为 Ng＝Pg/2。

当将该每一像素的电子束的照射点数设为4点时，使源极方向的扫描 线上的照射点的位置与在栅极方向上邻接的扫描线上的照射点的位置在栅 极方向上对准，而且，使栅极方向的扫描线上的照射点的位置与在源极方 向上邻接的扫描线上的照射点的位置在源极方向上对准，由此，在各像素 内，使照射点的位置在源极方向以及栅极方向上一致，从而沿横方向以及 纵方向进行扫描。另外，为了对从照射点释放的二次电子等进行检测，照 射位置与取样位置是设为同一点。

各像素的缺陷检测是通过下述方式来进行，即：由像素内的取样点的 检测信号来算出缺陷检测用的信号强度，并对该信号强度与预定的阈值进 行比较。

在将每一像素的电子束的照射点数设为4点来使电子束进行扫描的扫 描方法中，配置在TFT面板上的各像素越小且像素数越多，则每一TFT面 板的取样点数越是增加，因此存在检查时间变长的问题。

为了解决此种问题，提出下述方案：将各像素内的电子束照射点的位 置设为位于对角位置的2点，由此使得每一像素的取样点数减少，对照射 至像素的电子束的照射位置精度的下降进行抑制(参照专利文献1)。

在该电子束扫描中，使电子束沿TFT阵列的源极方向以及栅极方向进 行扫描，以对各像素照射电子束，并且在TFT阵列的源极方向以及栅极方 向中的至少任一方向的电子束扫描中，以像素间距来进行照射，并且在与 邻接的扫描线之间使电子束的照射位置发生偏移(offset)。通过在邻接的 扫描线之间使取样位置发生偏移，从而错开取样位置而设为对角的位置关 系，上述取样位置为一像素内的电子束的照射位置。

图6(b)表示将每一像素的电子束的照射点数设为2点的例子。此处， 将源极方向的偏移量Δs相对于源极方向的像素间距Ps而设为Δs＝Ps/2， 将栅极方向的偏移量Δg相对于栅极方向的像素间距Pg而设为Δg＝Pg/2， 使在栅极方向(图中的纵方向)上邻接的源极方向的照射点的列间的距离 错开偏移量Δs，而且，使在源极方向(图中的横方向)上邻接的栅极方向 的照射点的列间的距离错开偏移量Δg。通过像这样使照射点的列间的距离 发生偏移，从而能够将一像素内的照射点数以及取样点数减少至2点，并 且能够降低像素内的照射位置(取样位置)的偏倚。

先前技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开2008-89476号公报

发明概要

发明欲解决的问题

图7是用于说明以往的扫描例的概略图。该扫描例中，对沿源极方向 排列的像素列进行扫描，并沿栅极方向依序反复该像素列的扫描。由此， 对于二维排列的像素的各像素而将照射点数设为2点，并从该2点取样点 获取检测信号。

在该扫描中反复进行下述操作：针对沿源极方向排列的各像素列，在 栅极方向上错开而进行2次源极方向的扫描之后，对于在栅极方向上邻接 的像素列进行同样的扫描。图中的短箭头表示各照射点间的扫描的移动， 空心的长箭头表示源极方向的像素列中的扫描方向。

在缺陷检测中，视所检测的缺陷的种类而使施加至像素的电压图案不 同。图8(a)、(b)表示对所有像素施加相同电压的例子。图8(a)表示 对所有像素施加相同电压并将每一像素的照射点数设为2点来进行扫描的 情况，图8(b)表示在各取样点获取的检测信号。

作为二次电子检测器，其对通过电子束的照射而释放的二次电子进行 检测，一般使用将闪烁器(scintillator)与光电倍增管组合而成的检测 器。该二次电子检测器中，检测信号是具有与闪烁器的余辉时间相应的时 宽而被检测到。闪烁器的余辉时间是与移动取样间距Ns所需的取样时间Ts 大致等同的时宽。余辉时间例如是以信号强度减少至规定比例(例如峰值 的10％)为止的时间来表示。

如果该余辉时间与取样时间Ts重合，则在作为检测对象的像素中检测 到的二次电子的信号强度会受到在一取样前检测到的邻接像素的检测信号 的余辉时间造成的影响，从而会检测出在作为检测对象的像素中检测到的 信号强度加上余辉造成的信号强度所得的大小。图8(b)中的虚线表示在 各像素中检测到的信号强度，实线表示受到余辉造成的影响的信号强度。

如图8(a)所示，当对所有像素施加相同电压时，因余辉时间而从邻 接像素受到的影响对于任何像素均为同样。因此，在根据信号强度的差异 来进行缺陷检测时，余辉造成的信号强度的变化对于缺陷检测的影响可谓 较小。

另一方面，图8(c)、(d)是在邻接的像素间施加不同电压的例子。图 8(c)表示在源极方向的像素列中，交替施加正电压与负电压并将每一像 素的照射点数设为2点来进行扫描的情况，图8(d)表示在各取样点获取 的检测信号。

当像这样邻接的像素间的施加电压不同时，在前个像素的取样中检测 到的检测信号会影响到下个像素的取样的检测信号，像素间的检测信号的 信号强度的差异变小。因此，当根据信号强度的差异来进行缺陷检测时， 存在缺陷检测的检测精度下降的问题。

图8(d)中的虚线表示在各像素中检测到的信号强度，实线表示受到 余辉时间造成的影响的信号强度。例如，当邻接的像素中的一个像素为缺 陷时，像素间的信号强度的强度差为d2，因余辉时间造成的前取样的信号 强度的影响，信号强度差比不存在余辉造成的影响的情况小Δd。

因此，在正常像素中检测到的二次电子的检测信号的强度差与在缺陷 像素中检测到的检测信号的强度差的区别变得困难，从而成为缺陷检测的 检测精度下降的主要原因。

而且，在正常像素与缺陷像素中获得的检测信号的强度差变小，为噪 声的强度比的信噪比(signal to noise(S/N)ratio)变小，因此还存在 因噪声造成的缺陷误检测的发生频率变高的问题。

因此，本发明的目的在于解决上述课题，降低二次电子检测器的余辉 时间的影响，更详细而言，本发明的目的在于减少缺陷检测的检测精度的 下降，减少因噪声造成的缺陷误检测的发生，所述缺陷检测的检测精度的 下降是由于下述原因而产生的，即，因二次电子检测器的余辉时间的影响， 在正常像素中检测到的二次电子的检测信号的强度差与在缺陷像素中检测 到的检测信号的强度差的差异变小。

解决问题的手段

本发明的TFT阵列检查的电子束扫描方法以及TFT阵列检查装置涉及 下述TFT阵列检查的电子束扫描，所述TFT阵列检查是对TFT基板的面板 施加规定电压的检查信号以驱动阵列，对面板上照射电子束来进行扫描， 并基于在该电子束扫描中检测到的检测信号来检查TFT基板的阵列，其中， 针对TFT阵列的沿源极方向排列的像素列、或沿栅极方向排列的像素列， 沿着与像素列的排列方向相同的方向来使电子束进行扫描，并且在进行扫 描的像素列中的各像素中，将第1点的电子束照射位置与第2点的电子束 照射位置设为在该像素内于对角线上夹着像素列的中心线而相向的位置， 在对像素列扫描一次的期间内，对该像素列进行二维扫描。

通过以上述方式进行扫描，在一个像素中，对2点照射位置照射电子 束而获取2个检测信号。2个检测信号中的从第2点照射位置检测到的检测 信号因处于从第1点照射位置检测到的检测信号的余辉时间内，因而会受 到第1点的检测信号的影响，但由于第1点照射位置与第2点照射位置处 于相同像素内且为相同电压，因此在第2点照射位置检测到的检测信号不 会受到在邻接的像素中检测到的检测信号的余辉时间的影响。

这样，在像素内检测到的2个检测信号中的至少从第2点照射位置检 测到的检测信号不会受到在邻接的像素中检测到的检测信号的余辉时间的 影响，因此能够降低余辉时间造成的影响。

本发明的电子束扫描除了适用于TFT阵列的沿源极方向排列的像素列 以外，也适用于TFT阵列的沿栅极方向排列的像素列。

而且，在各像素中照射电子束的照射位置可采用两种形态。

照射位置的第1形态是：在电子束的扫描方向上邻接的像素间，使依 据扫描顺序的前个像素中的第2点照射位置与下个像素中的第1点照射位 置，相对于进行扫描的像素列的中心线而设为相反侧。

根据该第1形态，在沿扫描方向排列的像素列中，照射位置是夹着像 素列的中心线而交替配置，连结照射位置的扫描路径呈Z字(zigzag)状。 若以一像素来看，由于在像素内对2点照射电子束，因此在第2点照射位 置上检测到的检测信号会受到在处于相同电压状态下的第1点照射位置上 检测到的检测信号的余辉时间的影响，但不会受到在可能处于不同电压状 态的邻接的像素中检测到的检测信号的余辉时间的影响。

而且，由于2点照射位置相对于像素列的中心线而配置在相反侧，因 此一个像素内的照射位置的偏倚得以降低。

该第1形态中，在邻接的2个像素中，就前个像素的第2点照射位置 与下个像素的第1点照射位置而言，也相对于进行扫描的像素列的中心线 而位于相反侧。

照射位置的第2形态是：在电子束的扫描方向上邻接的像素间，使依 据扫描顺序的前个像素中的第2点照射位置与下个像素中的第1点照射位 置相对于进行扫描的像素列的中心线而设为相同侧。

根据该第2形态，在沿扫描方向排列的像素列中，照射位置是对夹着 像素列的中心线的交替配置与相对于像素列的中心线为同方向的配置进行 组合，一像素内的2个照射位置是夹着像素列的中心线而交替配置，而在 电子束的扫描方向上邻接的像素间，扫描方向上的前个像素中的第2点照 射位置与下个像素中的第1点照射位置相对于进行扫描的像素列的中心线 而配置在相同侧。因此，第2形态中，在邻接的2个像素中，前个像素的 第2点照射位置与下个像素的第1点的像素的照射信号相对于进行扫描的 像素列的中心线而位于相同侧。

根据该第2形态，若以一像素来看，与第1形态同样地，由于在像素 内对2点照射电子束，因此在第2点照射位置检测到的检测信号会受到在 处于相同电压状态下的第1点照射位置上检测到的检测信号的余辉时间的 影响，但不会受到可能处于不同电压状态的邻接的像素中检测到的检测信 号的余辉时间的影响，而且，由于2点照射位置相对于像素列的中心线而 配置在相反侧，因此一个像素内的照射位置的偏倚得以降低。

而且，本发明的扫描方法中，在各像素内进行照射的2点照射位置中， 将扫描方向的间隔设为排列方向的像素间距的1/2，将与扫描方向正交的方 向的间隔设为与排列方向正交的方向的像素间距的1/2，从而能够将像素内 的2点照射位置设为在对角线上夹着像素列的中心线而相向的位置。

本发明可采用TFT阵列检查的电子束扫描方法的形态以及适用该电子 束扫描方法的TFT阵列检查装置的形态。

TFT阵列检查装置的形态具备对电子束扫描进行控制的扫描控制部，由 该扫描控制部进行下述控制，即，针对TFT阵列的沿源极方向排列的像素 列或沿栅极方向排列的像素列，沿着与像素列的排列方向相同的方向来使 电子束进行扫描，并且在进行扫描的像素列中的各像素中，将第1点的电 子束照射位置与第2点的电子束照射位置设为在该像素内于对角线上夹着 像素列的中心线而相向的位置，在对像素列扫描一次的期间内，对该像素 列进行二维扫描。

TFT阵列检查装置具备：电子束源，照射电子束；以及平台，载置TFT 基板，并且移动所载置的TFT基板；扫描控制部控制电子束源所照射的电 子束的照射方向以对所述像素列进行二维扫描，并控制平台的移动以切换 电子束所照射的像素列，从而对TFT基板上的所有像素列进行电子束扫描。

发明的效果

根据本发明，能够降低二次电子检测器的余辉时间的影响。

更详细而言，根据本发明，因二次电子检测器的余辉时间的影响，在 正常像素中检测到的二次电子的检测信号的强度差与在缺陷像素中检测到 的检测信号的强度差的差异变小，从而产生的缺陷检测的检测精度的下降 能够减少，以及减少因噪声造成的缺陷误检测的发生。

附图简单说明

图1是本发明的TFT阵列检查装置的概略图。

图2是用于说明本发明的电子束扫描的第1形态的图。

图3是用于说明本发明的电子束扫描的第1形态的图。

图4是用于说明本发明的电子束扫描的第2形态的图。

图5是用于说明本发明的电子束扫描的第2形态的图。

图6是用于说明每一像素的电子束的照射点数的图。

图7是用于说明像素的扫描方向的图。

图8是用于说明二次电子检测器的余辉时间造成的影响的图。

发明实施形态

以下，参照附图来详细说明本发明的实施方式。以下，使用图1来说 明适用本发明的电子束扫描方法的TFT阵列检查装置，使用图2至图5来 说明本发明的电子束的扫描。

图1是本发明的TFT阵列检查装置的概略图。TFT阵列检查装置1具备： 检查信号生成部4，对TFT基板10生成阵列检查用的检查信号；探测器 (prober)8，将由检查信号生成部4所生成的检查信号施加至TFT基板10； 检测TFT基板的电压施加状态的机构(2、3、5)；以及缺陷检测部6，基于 检测信号来检测TFT阵列的缺陷。

探测器8具备设有探针(probe pin)(未图示)的探测器框架(prober  frame)。探测器8通过载置于TFT基板10上等，从而使探针接触TFT基板 10上形成的电极，以对TFT阵列施加检查信号。

对TFT基板的电压施加状态进行检测的机构可采用各种结构。图1所 示的结构是借助电子束的检测结构，具备：对TFT基板10上照射电子束的 电子束源2、对通过所照射的电子束而从TFT基板10释放的二次电子进行 检测的二次电子检测器3、对二次电子检测器3的检测信号进行信号处理以 检测TFT基板10上的电位状态的信号处理部5、以及基于检测信号来检测 TFT阵列的缺陷的缺陷检测部6等。

被照射电子束的TFT阵列释放出与所施加的检查信号的电压相应的二 次电子。二次电子检测器3检测该二次电子并输出检测信号。根据该检测 信号，能够检测TFT阵列的电位状态。

缺陷检测部6基于由信号处理部5所获取的TFT阵列的电位状态，与 正常状态下的电位状态进行比较，由此来检测TFT阵列的缺陷。

检查信号生成部4生成对形成在TFT基板10上的TFT阵列进行驱动的 检查信号的检查图案。

扫描控制部9控制平台7或电子束源2，以对TFT基板10上的TFT阵 列的检查位置进行扫描。平台7使载置的TFT基板10沿XY方向移动，而 且，电子束源2使照射至TFT基板10的电子束沿XY方向摆动，从而对电 子束的照射位置进行扫描。扫描位置成为检测位置。

本发明的扫描控制部9对从电子束源2照射的电子束的照射方向进行 控制，使电子束沿扫描方向进行扫描，并且对一个像素内的照射位置进行 控制，对在像素内的对角线上夹着扫描方向的像素列的中心而相向的位置 进行照射，从而对像素列进行二维扫描。而且，扫描控制部9对载置TFT 基板的平台的移动进行控制，以切换电子束所照射的像素列，从而对TFT 基板上的所有像素列进行电子束扫描。

而且，扫描控制部9与电子束的照射控制同步地控制信号处理部5，配 合电子束的照射来对由二次电子检测器3所检测到的检测处理进行信号处 理。

扫描控制部9具备电子束的照射控制所需的参数(parameter)或者算 出参数的程序(program)，基于作为检测对象的像素的像素间距等像素尺 寸或像素数等的信息，来决定源极方向或栅极方向的取样间距、一像素内 的与扫描方向正交的方向的移动距离等的控制信息，并基于这些控制信息 来控制电子束的照射。除了由扫描控制部9算出控制信息以外，也可使由 外部装置算出的数据(data)存储在扫描控制部9中。

另外，上述TFT阵列检查装置的结构为一例，并不限于该结构。

接下来，使用图2至图5来说明本发明的电子束照射。另外，图2、3 是说明本发明的第1形态的图，图4、5是说明本发明的第2形态的图。

本发明是针对TFT阵列的沿源极方向排列的像素列或沿栅极方向排列 的像素列，沿着与像素列的排列方向相同的方向来使电子束进行扫描，并 且在进行扫描的像素列中的各像素中，将第1点的电子束的照射位置与第2 点的电子束的照射位置设为在该像素内于对角线上夹着像素列的中心线而 相向的位置，在对像素列扫描一次的期间内，对该像素列进行二维扫描。

在该二维扫描中，在各像素中照射电子束的照射位置可采用两种形态。

本发明的照射位置的第1形态是在电子束的扫描方向上邻接的像素间， 使依据扫描顺序的前个像素中的第2点照射位置与下个像素中的第1点照 射位置，相对于进行扫描的像素列的中心线而设为相反侧的形态，第2形 态是在电子束的扫描方向上邻接的像素间，使依据扫描顺序的前个像素中 的第2点照射位置与下个像素中的第1点照射位置，相对于进行扫描的像 素列的中心线而设为相同侧的形态。

[本发明的照射位置的第1形态]

首先，使用图2、3来说明第1形态。图2中，表示将TFT阵列的源极 方向设为扫描方向的情况，表示二维配置的多个像素内沿源极方向排列的 一列像素列的一部分。

在图2(a)、(c)中，像素列的各像素将源极方向的像素间距设为Ps， 将栅极方向的像素间距设为Pg。在该像素列中，沿TFT阵列的源极方向进 行扫描时，将取样间距Ns设为Ns＝Ps/2，而将各像素内的照射点数设为2 点，并且，在每次照射时移动栅极方向的偏移量Δg＝Pg/2来进行扫描，以 使得相对于像素列的中心线而交替地位于相反侧。通过该扫描，照射位置 相对于像素列的扫描方向而配置成Z字状。

图2(a)、(c)表示照射位置的第1形态的电压施加状态，图2(a) 表示对所有像素施加相同电压的情况(图中表示施加正电压的情况)，图2 (c)表示对像素交替施加不同电压的情况(图中表示交替施加正电压与负 电压的情况)。

而且，图2(b)、(d)表示图2(a)、(c)所示的电压施加状态下的检 测信号，图中的箭头表示电子束的照射时刻。通过各电子束照射而检测到 的检测信号是作为具有余辉时间的信号而示出，上述余辉时间与在取样间 距Ns之间移动的取样时间Ts大致相同时宽。此处，对在任一情况下均为 第3个像素存在缺陷的情况进行说明。

根据照射位置的第1形态，在一个像素中对2点照射位置照射电子束 以获取2个检测信号，各检测信号由于处于从前一个照射位置检测到的检 测信号的余辉时间内，因此会受到余辉时间造成的影响，但从一个像素中 的第2点照射位置检测到的检测信号所受的影响是源自从相同像素内的第1 点照射位置检测到的检测信号，而不会受到前一个像素的影响，因此即使 假设前一个像素存在缺陷的情况下，也能够降低对从第2点照射位置检测 到的检测信号的影响。

(对所有像素施加相同电压的情况)

首先，说明对所有像素施加相同电压的情况。如图2(a)所示，从一 像素内的第1点照射位置检测到的检测信号受到从前一个像素的第2点照 射位置检测到的检测信号的余辉时间的影响，而且，从一像素内的第2点 照射位置检测到的检测信号受到从相同像素的第1点照射位置检测到的检 测信号的余辉时间的影响，但对于第1点与第2点照射位置所受的余辉时 间的影响而言，由于所有像素为相同电压，因此任一检测信号均同样受到 影响。

当根据正常像素与缺陷像素的信号强度的差异来进行缺陷检测时，该 余辉时间造成的信号强度的变化对缺陷检测的影响小。

例如，在图2(a)、(b)中，在第3个像素存在缺陷的情况下，第4 个像素的第1点照射位置的检测信号会因第3个像素的第2点的检测信号 的余辉时间的影响，而导致信号强度产生误差。与此相对，第4个像素的 第2点照射位置的检测信号虽受到第4个像素的第1点的检测信号的余辉 时间的影响，但由于是相同像素内的照射移动，因此信号强度的差异对缺 陷检测造成的影响得以降低。

(对像素交替施加不同电压的情况)

接下来，说明对像素交替施加不同电压的情况。如图2(c)所示，与 所述的对所有像素施加相同电压的情况同样地，会受到从前一个照射位置 检测到的检测信号的余辉时间的影响。此时，从第1点照射位置检测到的 检测信号会受到从施加电压不同的前一个像素的第2点照射位置检测到的 检测信号的余辉时间的影响，因此将比对所有像素施加相同电压时更大地 受到影响。但是，从第2点照射位置检测到的检测信号会受到从相同像素 的第1点照射位置检测到的检测信号的影响，因此当根据正常像素与缺陷 像素的信号强度的差异来进行缺陷检测时，该余辉时间造成的信号强度的 变化对缺陷检测的影响得以降低。

图2(c)、(d)例示了对缺陷像素施加正电压的情况。在缺陷像素中从 第1点照射位置检测到的检测信号受到从施加有负电压的前一个像素的照 射位置检测到的检测信号的余辉时间的影响，因此与前像素的检测信号的 强度差为D1，与不受余辉时间影响的情况相比，强度差小了ΔD。

另一方面，从缺陷像素的第2点照射位置检测到的检测信号虽受到从 相同缺陷像素的第1点照射位置检测到的检测信号的余辉时间的影响，但 由于该第1点与第2点是相同缺陷像素内的照射位置，因此检测信号强度 大致相同，因此施加电压不同的像素造成的余辉时间的影响小。因此，从 缺陷像素的第2点照射位置形成的检测信号与从前像素的照射位置形成的 检测信号的强度差为D2，能够降低前像素的检测信号的余辉时间造成的影 响。

这样，在像素内检测到的2个检测信号中的至少从第2点照射位置检 测到的检测信号不受在邻接的像素中检测到的检测信号的余辉时间的影 响，因此能够降低余辉时间造成的影响。

根据第1形态，在沿扫描方向排列的像素列中，照射位置是夹着像素 列的中心线而交替地配置，连结照射位置的扫描路径呈Z字状。若以一像 素来看，由于在像素内对2点照射电子束，因此在第2点照射位置上检测 到的检测信号会受到在处于相同电压状态下的第1点照射位置上检测到的 检测信号的余辉时间的影响，但不会受到在可能处于不同电压状态的邻接 的像素中检测到的检测信号的余辉时间的影响。

而且，由于2点照射位置相对于像素列的中心线而配置在相反侧，因 此一个像素内的照射位置的偏倚得以降低。

本发明的电子束扫描除了适用于TFT阵列的沿源极方向排列的像素列 以外，也可适用于TFT阵列的沿栅极方向排列的像素列。

图3是用于说明在第1形态中，适用于TFT阵列的源极方向以及栅极 方向的像素列的图。

图3(a)是将TFT阵列的源极方向设为电子束的扫描方向的情况，在 各像素列中沿栅极方向反复进行像素列的二维扫描，所述像素列的二维扫 描是针对一像素列，夹着该像素列的源极方向的扫描方向的中心线而交替 地对于对角线上的相向位置照射电子束来进行。

图3(b)是将TFT阵列的栅极方向设为电子束的扫描方向的情况，在 各像素列中沿源极方向反复进行像素列的二维扫描，所述像素列的二维扫 描是针对一像素列，夹着该像素列的栅极方向的扫描方向的中心线而交替 地对于对角线上的相向位置照射电子束来进行。

[本发明的照射位置的第2形态]

接下来，使用图4、图5来说明第2形态。图4中，表示将TFT阵列的 源极方向设为扫描方向的情况，表示在二维配置的多个像素内沿源极方向 排列的一列像素列的一部分。

在图4(a)、(c)中，像素列的各像素将源极方向的像素间距设为Ps， 将栅极方向的像素间距设为Pg。在该像素列中，沿TFT阵列的源极方向进 行扫描时，将取样间距Ns设为Ns＝Ps/2，而将各像素内的照射点数设为2 点，并且，在相同像素内进行的第1点与第2点照射位置移动栅极方向的 偏移量Δg＝Pg/2，以使得相对于像素列的中心线而交替地位于相反侧，在 电子束的扫描方向上邻接的像素间，将依据扫描顺序的前个像素中的第2 点照射位置与下个像素中的第1点照射位置相对于进行扫描的像素列的中 心线而设为相同侧。

图4(a)、(c)表示照射位置的第2形态的电压施加状态，图4(a) 表示对所有像素施加相同电压的情况(图中表示施加正电压的情况)，图4 (c)表示对像素交替施加不同电压的情况(图中表示交替施加正电压与负 电压的情况)。

而且，图4(b)、(d)表示图4(a)、(c)所示的电压施加状态下的检 测信号，图中的箭头表示电子束的照射时刻。通过各电子束照射而检测到 的检测信号是作为具有与在取样间距Ns之间移动的取样时间Ts大致相同 时宽的余辉时间的信号而示出。此处，表示在任一情况下均为第3个像素 存在缺陷的情况，图4(c)、(d)中表示对缺陷像素施加有正电压的情况。

根据照射位置的第2形态，与第1形态同样地，在一个像素中对2点 照射位置照射电子束以获取2个检测信号，各检测信号由于处于从前一个 照射位置检测到的检测信号的余辉时间内，因此会受到余辉时间造成的影 响，但从一个像素中的第2点照射位置检测到的检测信号所受的影响是源 自从相同像素内的第1点照射位置检测到的检测信号，而不会受到前一个 像素的影响，因此即使假设前一个像素存在缺陷的情况下，也能够降低对 从第2点照射位置检测到的检测信号的影响。

第2形态与第1形态的不同之处在于，在邻接的像素间，将依据扫描 顺序的前个像素中的第2点照射位置与下个像素中的第1点照射位置相对 于进行扫描的像素列的中心线而设为相同侧，其他各方面相同。

对于通过第2形态获得的检测信号而言，如图4(b)、(d)所示，也能 够获取与第1形态同样的检测信号。因此，省略此处的说明。

根据该第2形态，若以一像素来看，与第1形态同样地，由于在像素 内对2点照射电子束，因此在第2点照射位置上检测到的检测信号会受到 在处于相同电压状态下的第1点照射位置上检测到的检测信号的余辉时间 的影响，但不会受到在可能处于不同电压状态的邻接的像素中检测到的检 测信号的余辉时间的影响，而且，由于2点照射位置相对于像素列的中心 线而配置在相反侧，因此一个像素内的照射位置的偏倚得以降低。

图5是用于说明在第2形态中，适用于TFT阵列的源极方向以及栅极 方向的像素列的图。

图5(a)是将TFT阵列的源极方向设为电子束的扫描方向的情况，在 各像素列中沿栅极方向反复进行像素列的二维扫描，所述像素列的二维扫 描是针对一像素列，夹着该像素列的源极方向的扫描方向的中心线而交替 地对于对角线上的相向位置照射电子束来进行。

图5(b)是将TFT阵列的栅极方向设为电子束的扫描方向的情况，在 各像素列中沿源极方向反复进行像素列的二维扫描，所述像素列的二维扫 描是针对一像素列，夹着该像素列的栅极方向的扫描方向的中心线而交替 地对于对角线上的相向位置照射电子束来进行。

产业上的可利用性

本发明的TFT基板可设为液晶基板或有机EL，从而可适用于形成液晶 基板或有机EL的成膜装置，除此以外，本发明还可适用于形成各种半导体 基板的成膜装置。

符号的说明

1：阵列检查装置

2：电子束源

3：二次电子检测器

4：检查信号生成部

5：信号处理部

6：缺陷检测部

7：平台

8：探测器

9：扫描控制部

10：基板

Ns：取样间距

Pg：像素间距

Ps：像素间距

Ts：取样时间

Δg：偏移量

Δs：偏移量