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一种具有深能级掺杂元素漂移区的晶闸管

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摘要

一种具有深能级掺杂元素漂移区的晶闸管件，属于半导体功率器件技术领域。本发明在传统晶闸管的N-漂移区（6）中掺入深能级杂质元素（硫、硒、碲、金或铂），深能级杂质元素随着温度升高，电离度增加，导致杂质浓度增加，从而能有效减少PNP管高温下α

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2015-05-06

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L29/74 申请公布日:20121114 申请日:20120718

发明专利申请公布后的视为撤回
2013-04-10

专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L29/74 变更前: 变更后: 登记生效日:20130320 申请日:20120718

专利申请权、专利权的转移
2013-01-09

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/74 申请日:20120718

实质审查的生效
2012-11-14

公开

公开

1. 一种具有深能级掺杂元素漂移区的晶闸管 [P] . 中国专利： CN102779848A . 2012-11-14
2. 一种具有深能级掺杂的肖特基二极管 [P] . 中国专利： CN213716908U . 2021-07-16
3. Bipolar transistor with delta-doped p-type base and drift region - has conduction band gap in weakly doped drift region with conduction path min. suited to preferential injection of lighter electrons [P] . 德国专利： DE4341941A1 . 1994-06-16

机译：具有三角形掺杂的p型基极和漂移区的双极晶体管-在弱掺杂漂移区中具有最小导通路径的导带隙。适合优先注入较轻的电子
4. Metal oxide semiconductor field effect transistor, comprises drift zone having sub zone arranged between another sub zone and body zone, and drift zone is doped more strongly than sub zone [P] . 德国专利： DE102006007096A1 . 2007-08-30

机译：金属氧化物半导体场效应晶体管，包括漂移区，该漂移区具有布置在另一个子区和主体区之间的子区，并且该漂移区比该子区更强地掺杂。
5. High-voltage FET with source drain gate and channel has doped drift region having potential barrier spaced from the body region [P] . 德国专利： DE102005042827A1 . 2007-03-22

机译：具有源极漏极栅极和沟道的高压FET具有掺杂漂移区，该漂移区的势垒与主体区隔开