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基于多层硅量子点的短波响应晶硅太阳能电池制备方法

摘要

本发明公开了基于多层硅量子点的短波响应晶硅太阳能电池制备方法,其包括如下工艺步骤:在P型晶体硅衬底上制备制绒面;进行非晶硅薄膜的沉积;利用快速热退火过程形成硅量子点;形成一层硅量子点薄膜的制备;重复上述步骤二至步骤三多次,完成多层硅量子点薄膜的制备;形成PN结并进行恒定表面浓度扩散源的推进;在P型晶体硅衬底正面淀积Si

著录项

  • 公开/公告号CN102751386A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-10-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 辽宁朝阳光伏科技有限公司;

    申请/专利号CN201210238099.X

  • 发明设计人 王成林;

    申请日2012-07-11

  • 分类号H01L31/18;

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 122000 辽宁省朝阳市朝阳区高新技术园

  • 入库时间 2023-12-18 07:07:03

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-05-06

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L31/18 申请公布日:20121024 申请日:20120711

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2012-12-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/18 申请日:20120711

    实质审查的生效

  • 2012-10-24

    公开

    公开

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