氮化铝陶瓷30瓦23dB衰减片

摘要

本发明公开了一种氮化铝陶瓷30瓦23dB衰减片，其包括一5*5*1MM的氮化铝基板，所述氮化铝基板上印刷有TT型衰减电路，所述TT型衰减电路由导线及膜状电阻组成，所述氮化铝基板的背面印刷有背导层，所述衰减电路沿所述氮化铝基板的中心线对称，所述衰减电路的输出端、输入端分别与一焊盘连接，所述两个焊盘沿所述氮化铝基板的中心线对称。该衰减片在案设计上充分考虑了各项性能指标，高频无感，打破了原来衰减片只能应用于低频的局面，能够满足目前3G网络的应用要求，同时延伸了30瓦固定电阻式衰减片的系列产品线。