高灵敏度、高稳定性表面增强拉曼芯片的制备方法及应用方法

摘要

本发明公开了一种高灵敏度、高稳定性表面增强拉曼芯片的制备方法及应用方法，该方法首先是在1cm×1cm的双面精抛光石英基底上通过自组装的方法得到单层排布的聚苯乙烯纳米球阵列；再采用反应离子刻蚀工艺对制作的单层纳米球阵列进行刻蚀，改变纳米球之间间隙的尺寸大小；最后通过银纳米薄膜沉积和Lift off工艺得到结构周期为430nm，粒子直径为160nm，局域表面等离子体共振波长为780nm的表面增强拉曼芯片。本发明的表面增强拉曼芯片可检测出10nM浓度的若丹明6G分子；且同一高灵敏度、高稳定性表面增强拉曼芯片的7处不同位置处10μM浓度的若丹明6G分子的拉曼光谱曲线的特征峰值强度偏差为±3％，可满足生物、化学物质的快速特异性检测需求。