InAs/GaSb二类超晶格红外探测器

摘要

一种InAs/GaSb二类超晶格红外探测器，包括：一衬底；一缓冲欧姆接触层，制作在衬底上；一第一二类超晶格层，制作在缓冲欧姆接触层上，使缓冲欧姆接触层上面的两侧形成台面；一本征二类超晶格光吸收层，制作在第一二类超晶格层上；一第二二类超晶格层，制作在本征二类超晶格光吸收层上；一欧姆接触层，制作在第二二类超晶格层上；一钝化层，覆盖缓冲欧姆接触层两侧的部分台面、第一二类超晶格层、本征二类超晶格光吸收层、第二二类超晶格层和欧姆接触层的侧面，及欧姆接触层上的两侧面，覆盖欧姆接触层的该钝化层的中间有一透光口，覆盖缓冲欧姆接触层的该钝化层两侧的台面上分别有一电极窗口；一上电极，制作在透光口的两侧；一下电极，制作在电极窗口内。