钝化InAs/GaSb二类超晶格红外探测器制作方法

摘要

一种钝化InAs/GaSb二类超晶格红外探测器制作方法，包括：采用金属化学有机气相沉积方法或分子束外延方法，在衬底上依次生长缓冲层、二类超晶格层、本征二类超晶格光吸收层、N型二类超晶格层和N型欧姆接触层，形成外延片；对外延片进行光刻，然后采用湿法腐蚀或干法刻蚀的方法，对外延片进行腐蚀或刻蚀；使用甩胶机在刻蚀后的外延片的表面上涂覆树脂材料；进行曝光；进行中烘，显影，在涂覆树脂材料的外延片上形成上电极和光进入窗口和下电极窗口，制作电极材料；对电极材料进行光刻，形成上电极和下电极；本发明是采用该制作方法钝化的器件具有较低的暗电流，ROA增加；其具有制造工艺不复杂、钝化膜强度大，钝化效果好等特点。