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基于碲化镉的光伏模块的制造中的薄膜层的一体化淀积

摘要

本发明涉及基于碲化镉的光伏模块的制造中的薄膜层的一体化淀积。提供了用于碲化镉薄膜光伏装置10的形成中的半导体层的薄膜淀积的设备和过程。该设备100包括一系列一体地连接的室,例如连接到装载真空泵108上的装载真空室106、溅射淀积室112、真空缓冲室120和气相淀积室128。传送器系统104可操作地设置在设备100内,并且构造成按串行布置以受控的速度将衬底10输送进入且输送通过装载真空室106、溅射淀积室112、真空缓冲室120和气相淀积室128。溅射淀积室112、真空缓冲室120和气相淀积室128一体地连接,使得输送通过设备100的衬底10保持在小于大约760托的系统压力处。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-08-13

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L31/18 申请公布日:20120711 申请日:20111223

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2012-07-11

    公开

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