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一种铬掺杂钛酸锶钡陶瓷电容器材料

摘要

本发明提供一种铬掺杂钛酸锶钡陶瓷电容器材料,主要有以下特点1.在固相反应中少量cr进入BST晶格形成固溶体,保持其立方钙钛矿结构.少量Cr掺杂可以促进晶粒生长,而掺杂量较高时晶粒反而减小且变得不均匀。2.当Cr掺杂量(摩尔分数)<1.0%时,BST陶瓷的介电调谐性能和介电损耗均有所改善,当掺杂量为0.6%时,其综合性能最佳,在1MHz下的损耗可降到5×10

著录项

  • 公开/公告号CN102557614A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-07-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 颜欢;

    申请/专利号CN201010588842.5

  • 发明设计人 颜欢;

    申请日2010-12-15

  • 分类号C04B35/468;H01G4/12;

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 215200 江苏省吴江市经济开发区泉海路1号吴江宏高功能陶瓷科技有限公司

  • 入库时间 2023-12-18 05:51:34

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-02-19

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C04B35/468 申请公布日:20120711 申请日:20101215

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2012-09-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):C04B35/468 申请日:20101215

    实质审查的生效

  • 2012-07-11

    公开

    公开

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