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一种原位生长金属氧化物、金属氮化物、金属碳化物纳米线的方法

摘要

一种原位生长金属氧化物、金属氮化物、金属碳化物纳米线的方法,属于属于材料化工技术领域。其特征是采用半导体蚀刻工艺在绝缘基板的抛光面上制备平行导电电极,将可溶于有机溶剂或者水的金属盐溶液滴覆在制备的电极之间,采用两步双向电泳法,先在电极两端施加频率范围为0-1000赫兹,振幅在1-20伏特之间的交流电场,持续1-50秒,然后将频率增加到高频区2兆到200亿赫兹之间,持续1秒到30分钟,在两电极之间原位生长金属纳米线,然后再将金属纳米线在氧气、氨气、碳氢化合物的气氛下分别在400-1600度下焙烧后,获得对应金属氧化物、金属氮化物或金属碳化物纳米线。本发明的效果和益处是,实现单根纳米线的原位电连接,避免去模板和转移过程存在的技术困难。

著录项

  • 公开/公告号CN102517640A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-06-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 大连理工大学;

    申请/专利号CN201110411945.9

  • 申请日2011-12-12

  • 分类号C30B30/02;C30B29/62;C30B33/02;

  • 代理机构大连理工大学专利中心;

  • 代理人侯明远

  • 地址 116024 辽宁省大连市凌工路2号

  • 入库时间 2023-12-18 05:34:25

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-12-24

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C30B30/02 申请公布日:20120627 申请日:20111212

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2012-09-05

    实质审查的生效 IPC(主分类):C30B30/02 申请日:20111212

    实质审查的生效

  • 2012-06-27

    公开

    公开

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