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光学存储器件及利用该器件记录/再现信息的方法

摘要

本发明提供一种光学存储器件和一种利用光学存储器件记录信息/再现信息的方法。光学存储器件包括:基底;第一势垒层,形成在基底上;量子阱层;第二势垒层;量子点层;第三势垒层。量子阱层的能带隙比量子点层的能带隙宽,第二势垒层的能带隙比量子阱层的能带隙宽,从而因一定波长的光而在量子点层中产生的激子中的电子被量子阱层捕获,以记录信息,然后,可以通过将一定波长的光照射到光学存储器件来擦除或再现记录的信息。

著录项

  • 公开/公告号CN102439662A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-05-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三星电子株式会社;

    申请/专利号CN201080022561.1

  • 发明设计人 裴在喆;金朱镐;李镇京;

    申请日2010-04-14

  • 分类号G11B7/00;G11B9/00;G11C13/06;

  • 代理机构北京铭硕知识产权代理有限公司;

  • 代理人韩明星

  • 地址 韩国京畿道

  • 入库时间 2023-12-18 05:08:35

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-11-05

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G11B7/00 申请公布日:20120502 申请日:20100414

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2012-07-04

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11B7/00 申请日:20100414

    实质审查的生效

  • 2012-05-02

    公开

    公开

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