晶体硅太阳能电池选择性发射极的磷扩散方法

摘要

本发明的晶体硅太阳能电池选择性发射极的磷扩散方法包括如下步骤：1)硅片放入扩散炉中，采用双面扩散，温度升高到850-950摄氏度；2)温度稳定后，通入氮气流量10-30slm，氧气0.5-3slm，携磷源氮气2-5slm，扩散时间10-20min；3)降低温度，温度下降为750-850摄氏度，过程中与第(2)步流量一致，扩散时间10-20min；4)停止通携磷源氮气，并停止通氧气，温度下降为600-700摄氏度，氮气流量10-30slm，推进时间10-20min。本发明所得到的方法与现有技术相比具有吸杂作用强，易于在发射区内形成高内建电场，浓度梯度大的特点。