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低能氮离子束轰击的多壁碳纳米管及其制备方法与应用

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摘要

本发明涉及低能氮离子束轰击的多壁碳纳米管，它是由在预先喷涂的多壁碳纳米管基片上轰击低能氮离子束组成；其中轰击氮离子的束流为5-25mA，本底真空1.9×10

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2014-07-30

发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C01B31/02 申请公布日:20120425 申请日:20110919

发明专利申请公布后的驳回
2012-06-06

实质审查的生效 IPC(主分类):C01B31/02 申请日:20110919

实质审查的生效
2012-04-25

公开

公开

1. 低能氮离子束轰击的多壁碳纳米管及其制备方法与应用 [P] . 中国专利： CN102424378A . 2012-04-25
2. 一种磷掺杂或氮掺杂多壁碳纳米管催化剂及其制备方法与应用 [P] . 中国专利： CN111068729A . 2020-04-28
3. Method of forming dielectric thin films on silicon by low energy ion beam bombardment [P] . 美国专利： US4776925A . 1988-10-11

机译：低能离子束轰击在硅上形成电介质薄膜的方法
4. Hall-current ion source for ion beams of low and high energy for technological applications [P] . 美国专利： US7312579B2 . 2007-12-25

机译：适用于低能量和高能量离子束的霍尔电流离子源，用于技术应用
5. Hall-current ion source for ion beams of low and high energy for technological applications [P] . 美国专利： US2007241290A1 . 2007-10-18

机译：适用于低能量和高能量离子束的霍尔电流离子源，用于技术应用