法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-12-07
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 31/055 授权公告日:20121212 终止日期:20151021 申请日:20101021
专利权的终止
2012-12-12
授权
授权
2011-07-13
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/055 申请日:20101021
实质审查的生效
2011-05-25
公开
公开
机译: 具有多晶硅转换层的辐射探测器的制造方法
机译: 辐射装置,特别是发光二极管,具有发射初级辐射的层和包括两种材料的转换层,该转换层将这种辐射转换成第一和第二次级辐射
机译: 用于制造多晶硅锭,多晶硅锭,多晶硅块,多晶硅晶片,多晶硅太阳能电池和多晶硅太阳能电池模块的设备