首页> 中国专利> 半模基片集成波导与槽线混合的定向耦合器

半模基片集成波导与槽线混合的定向耦合器

摘要

本发明涉及一种半模基片集成波导与槽线混合的定向耦合器,包括从上往下依次层叠的第一金属覆铜层、介质层、第二金属覆铜层、第二介质层和第三金属覆铜层,所述第一金属覆铜层包括一组半模基片集成波导上表区域、位于半模基片集成波导上表区域两侧并与之连接的梯形过渡结构、位于半模基片集成波导上表区域两侧并与梯形过渡结构连接的微带线、位于半模基片集成波导上表区域上的一排金属化通孔,所述金属化通孔贯穿了半模基片集成波导上表区域和介质层与第二金属覆铜层连接,形成一路半模基片集成波导。本发明的有益效果:在实现同样的电路功能时减少电路结构的面积近一半,使得定向耦合器结构紧凑。

著录项

  • 公开/公告号CN102361150A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-02-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 电子科技大学;

    申请/专利号CN201110262017.0

  • 发明设计人 程钰间;樊勇;

    申请日2011-09-06

  • 分类号H01P5/18;

  • 代理机构电子科技大学专利中心;

  • 代理人周永宏

  • 地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 入库时间 2023-12-18 04:34:25

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-10-29

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01P5/18 申请公布日:20120222 申请日:20110906

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2012-04-04

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01P5/18 申请日:20110906

    实质审查的生效

  • 2012-02-22

    公开

    公开

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