有机盐化合物、使用了该有机盐化合物的光学记录材料及光学记录介质

摘要

本发明的有机盐化合物由通式(I)表示的单次甲基花青阳离子和通式(IV)表示的甲亚胺络合物阴离子构成，是感度及耐光性优异、特别适合于通过激光来进行记录、再生的光学记录材料中使用的光学元件的化合物。通式(I)中，X为氧原子、硫原子或硒原子，R

说明书

技术领域

本发明涉及由单次甲基花青阳离子和甲亚胺络合物阴离子构成的新型 有机盐化合物。该有机盐化合物作为光学元件等、特别是通过激光来进行 记录、再生的光学记录介质的光学记录层中使用的光学记录材料中含有的 光学记录剂是有用的。

背景技术

光学记录介质中，用于记录及再生的半导体激光的波长对于CD-R为 750～830nm，对于DVD±R为620nm～690nm，但为了实现容量的进一步 增加，研究了使用短波长激光的光盘，例如研究了使用380～420nm的光 作为记录光的光盘。

短波长记录用的光学记录介质中，光学记录层的形成中使用了各种化 合物。例如专利文献1及2中报道了三次甲基花青系色素。专利文献3中 报道了非对称三次甲基花青系色素。但是，这些化合物使用了无机阴离子， 耐光性存在问题。

专利文献4中报道了具有三唑作为配合基的金属络合物。专利文献5 中报道了具有卟啉骨架的色素。专利文献6中报道了包含三次甲基花青系 色素和甲亚胺络合物的光学记录材料及光学记录介质。但是，这些化合物 各自在具有无机抗衡离子的状态下使用，有可能析出例如Na⁺PF₆^-等盐。

专利文献7中报道了甲亚胺络合物的三乙胺盐。但是，其在380～420nm 下的感度不充分。

专利文献8中报道了三次甲基花青系色素与甲亚胺络合物的盐。但是， 未报道满足在380～420nm下的吸收及分解行为这两种特性的盐。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平07-085499号公报

专利文献2：日本特开平07-262604号公报

专利文献3：日本特开2001-301333号公报

专利文献4：日本特开2004-174838号公报

专利文献5：日本特开2005-59601号公报

专利文献6：日本特开2005-305839号公报

专利文献7：日本特开2007-112066号公报

专利文献8：日本特开2007-207324号公报

发明内容

发明所要解决的课题

因此，本发明的目的在于提供一种感度及耐光性优异、特别适合于通 过激光来进行记录、再生的光学记录材料中使用的光学元件的化合物。

用于解决课题的手段

本发明人等反复进行了研究，结果发现，具有特定结构的有机盐化合 物的感度及耐光性优异，发现通过使用该化合物，能够解决上述课题。

本发明是基于上述见解而完成的，提供一种由下述通式(I)表示的单 次甲基花青阳离子和下述通式(IV)表示的甲亚胺络合物阴离子构成的有 机盐化合物。

(式中，X为氧原子、硫原子、硒原子或-NY³-，

R¹及R²各自独立地为下述通式(II)或(II’)表示的基团、碳原子数 为1～20的烷基、碳原子数为6～30的芳基或碳原子数为7～30的芳烷基， R¹与R²也可以连接而形成3～6元环的脂环基，

R³、R⁴、R⁵及R⁶各自独立地为氢原子、碳原子数为1～20的烷基、碳 原子数为6～30的芳基或碳原子数为7～30的芳烷基，R⁴与R⁵也可以连接 而形成6元环，

Y¹、Y²及Y³各自独立地为碳原子数为1～20的烷基、碳原子数为6～ 30的芳基、碳原子数为7～30的芳烷基或下述通式(III)表示的基团，

R⁷、R⁸、R⁹及R¹⁰各自独立地表示氢原子、羟基、碳原子数为1～20 的烷基、碳原子数为6～30的芳基、碳原子数为7～30的芳烷基、卤素原 子、硝基或氰基，相邻的R⁷、R⁸、R⁹、R¹⁰也可以各自连接而形成5～6元 环，

烷基及芳烷基中的亚甲基可以被-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-、-SO₂-、 -NH-、-CONH-、-NHCO-、-N＝CH-或-CH＝CH-中断。)

(上述通式(II)中，G与T之间的键为双键、共轭双键或三键，G表 示碳原子，T表示碳原子、氧原子或氮原子(其中，T为氧原子时y和z 都为0，T为氮原子时y+z为0或1)，w表示0～4的数，x、y及z表示0 或1，R⁰¹、R⁰²、R⁰³及R⁰⁴各自独立地表示氢原子、羟基、硝基、氰基、卤 素原子、或可具有取代基的碳原子数为1～4的烷基，该烷基中的亚甲基可 以被-O-或-CO-中断，R⁰¹与R⁰⁴也可以键合而形成环烯环或杂环。

上述通式(II’)中，G’与T’之间的键为双键或共轭双键，G’表示碳原 子，T’表示碳原子或氮原子，w’表示0～4的数，R⁰¹’表示氢原子、羟基、 硝基、氰基、卤素原子、可具有取代基的碳原子数为1～4的烷基，该烷基 中的亚甲基可以被-O-或-CO-中断，包含G’及T’的环表示可包含杂原子的5 元环、可包含杂原子的6元环、喹啉环、异喹啉环或蒽醌环，这些包含G’ 及T’的环可以被卤素原子、羟基、硝基、氰基、碳原子数为1～4的烷基或 碳原子数为1～4的烷氧基取代。)

(式中，R^a～Rⁱ各自独立地表示氢原子或碳原子数为1～4的烷基，该 烷基中的亚甲基可以被-O-或-CO-中断，Q表示直接键合或可具有取代基的 碳原子数为1～8的亚烷基，该亚烷基中的亚甲基可以被-O-、-S-、-CO-、 -COO-、-OCO-、-SO₂-、-NH-、-CONH-、-NHCO-、-N＝CH-或-CH＝CH-中 断，M表示Fe、Co、Ni、Ti、Cu、Zn、Zr、Cr、Mo、Os、Mn、Ru、Sn、 Pd、Rh、Pt或Ir。)

(式中，M’表示Fe、Co、Ni、Cu、Cr、Mo、Os、Mn、Ru、Sn、Pd、 Rh、Pt、Al或Ir，R¹¹～R²⁶各自独立地表示氢原子、卤素原子、碳原子数 为1～20的烷基、碳原子数为6～30的芳基、碳原子数为7～30的芳烷基、 硝基、氰基或-NRR’，R及R’表示碳原子数为1～4的烷基，相邻的R¹¹～ R²⁶也可以各自连接而形成5～6元环。)

此外，本发明提供一种光学记录材料，其特征在于，其含有至少一种 上述有机盐化合物。

此外，本发明提供一种光学记录介质，其特征在于，其在基体上具有 由上述光学记录材料形成的光学记录层。

发明的效果

根据本发明，能够提供感度及耐光性优异的适合于光学元件的有机盐 化合物。含有该有机盐化合物而形成的光学记录材料特别适合用于形成通 过短波长的激光来记录、再生的光学记录介质的光学记录层。

具体实施方式

以下，基于优选的实施方式对本发明的有机盐化合物、含有该有机盐 化合物而形成的光学记录材料、及使用了该光学记录材料的光学记录介质 进行详细说明。

作为上述通式(I)中的R¹～R¹⁰、Y¹、Y²及Y³以及上述通式(IV)中 的R¹¹～R²⁶表示的碳原子数为1～20的烷基，可列举出甲基、乙基、丙基、 异丙基、丁基、仲丁基、叔丁基、异丁基、戊基、异戊基、叔戊基、己基、 环己基、环己基甲基、2-环己基乙基、庚基、异庚基、叔庚基、正辛基、 异辛基、叔辛基、2-乙基己基、壬基、异壬基、癸基、十二烷基、十三烷 基、十四烷基、十五烷基、十六烷基、十七烷基、十八烷基、2-甲氧基乙 基、3-甲氧基丙基、4-甲氧基丁基、2-丁氧基乙基、甲氧基乙氧基乙基、甲 氧基乙氧基乙氧基乙基、3-甲氧基丁基、2-甲基硫乙基等。

作为上述通式(I)中的R¹～R¹⁰、Y¹、Y²及Y³以及上述通式(IV)中 的R¹¹～R²⁶表示的碳原子数为6～30的芳基，可列举出苯基、萘基、2-甲 基苯基、3-甲基苯基、4-甲基苯基、4-乙烯基苯基、3-异丙基苯基、4-异丙 基苯基、4-丁基苯基、4-异丁基苯基、4-叔丁基苯基、4-己基苯基、4-环己 基苯基、4-辛基苯基、4-(2-乙基己基)苯基、4-硬脂基苯基、2，3-二甲基 苯基、2，4-二甲基苯基、2，5-二甲基苯基、2，6-二甲基苯基、3，4-二甲基苯基、 3，5-二甲基苯基、2，4-二叔丁基苯基、环己基苯基等。

作为上述通式(I)中的R¹～R¹⁰、Y¹、Y²及Y³以及上述通式(IV)中 的R¹¹～R²⁶表示的碳原子数为7～30的芳烷基，可列举出苄基、苯乙基、 2-苯基丙烷-2-基、二苯基甲基、三苯基甲基、苯乙烯基、肉桂基、2-苯氧 基乙基、2-苯基硫乙基等。

上述通式(I)中的R¹～R¹⁰、Y¹、Y²及Y³以及上述通式(IV)中的 R¹¹～R²⁶表示的烷基、和上述通式(I)中的R¹～R¹⁰、Y¹及Y²以及上述通 式(IV)中的R¹¹～R²⁶表示的芳基、芳烷基各自可以被取代。另外，被含 有碳原子的取代基取代时，包含该取代基的R¹～R¹⁰、Y¹、Y²、R¹¹～R²⁶表 示的基团整体的碳原子数满足各自规定的碳原子数范围。

作为上述取代基，例如可列举出甲基、乙基、丙基、异丙基、环丙基、 丁基、仲丁基、叔丁基、异丁基、戊基、异戊基、叔戊基、环戊基、己基、 2-己基、3-己基、环己基、双环己基、1-甲基环己基、庚基、2-庚基、3-庚 基、异庚基、叔庚基、正辛基、异辛基、叔辛基、2-乙基己基、壬基、异 壬基、癸基等烷基；甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、丁氧基、仲丁 氧基、叔丁氧基、异丁氧基、戊氧基、异戊氧基、叔戊氧基、己氧基、环 己氧基、庚氧基、异庚氧基、叔庚氧基、正辛氧基、异辛氧基、叔辛氧基、 2-乙基己氧基、壬氧基、癸氧基等烷氧基；甲硫基、乙硫基、丙硫基、异 丙硫基、丁硫基、仲丁硫基、叔丁硫基、异丁硫基、戊硫基、异戊硫基、 叔戊硫基、己硫基、环己硫基、庚硫基、异庚硫基、叔庚硫基、正辛硫基、 异辛硫基、叔辛硫基、2-乙基己硫基等烷硫基；乙烯基、1-甲基乙烯基、2- 甲基乙烯基、2-丙烯基、1-甲基-3-丙烯基、3-丁烯基、1-甲基-3-丁烯基、异 丁烯基、3-戊烯基、4-己烯基、环己烯基、双环己烯基、庚烯基、辛烯基、 癸烯基、十五烯基、二十烯基、二十三烯基等链烯基；苄基、苯乙基、二 苯基甲基、三苯基甲基、苯乙烯基、肉桂基等芳烷基；苯基、萘基等芳基； 苯氧基、萘氧基等芳氧基；苯硫基、萘硫基等芳硫基；吡啶基、嘧啶基、 哒嗪基、哌啶基、吡喃基、吡唑基、三嗪基、吡咯基、喹啉基、异喹啉基、 咪唑基、苯并咪唑基、三唑基、呋喃基(furyl)、呋喃基(furanyl)、苯并 呋喃基、噻嗯基、苯硫基、苯并苯硫基、噻二唑基、噻唑基、苯并噻唑基、 噁唑基、苯并噁唑基、异噻唑基、异噁唑基、吲哚基、2-吡咯烷酮-1-基、 2-哌啶酮-1-基、2，4-二氧代咪唑烷-3-基、2，4-二氧代噁唑烷-3-基等杂环基； 氟、氯、溴、碘等卤素原子；乙酰基、2-氯代乙酰基、丙酰基、辛酰基、 丙烯酰基、甲基丙烯酰基、苯基羰基(苯甲酰基)、邻苯二甲酰基、4-三氟 甲基苯甲酰基、新戊酰基、水杨酰基、草酰基、硬脂酰基、甲氧基羰基、 乙氧基羰基、叔丁氧基羰基、正十八烷氧基羰基、氨基甲酰基等酰基；甲 酯基、乙酯基、正丁酯基、叔丁酯基、正丙酯基等酯基；乙酰氧基、苯甲 酰氧基等酰氧基；氨基、乙基氨基、二甲基氨基、二乙基氨基、丁基氨基、 环戊基氨基、2-乙基己基氨基、十二烷基氨基、苯胺基、氯苯基氨基、甲 苯基氨基、茴香氨基、N-甲基-苯胺基、二苯基氨基，萘基氨基、2-吡啶基 氨基、甲氧基羰基氨基、苯氧基羰基氨基、乙酰氨基、苯甲酰氨基、甲酰 氨基、新戊酰氨基、月桂酰氨基、氨基甲酰氨基、N，N-二甲基氨基羰基氨 基、N，N-二乙基氨基羰基氨基、吗啉基羰基氨基、甲氧基羰基氨基、乙氧 基羰基氨基、叔丁氧基羰基氨基、正十八烷氧基羰基氨基、N-甲基-甲氧基 羰基氨基、苯氧基羰基氨基、氨磺酰氨基、N，N-二甲基氨基磺酰氨基、甲 基磺酰氨基、丁基磺酰氨基、苯基磺酰氨基等取代氨基；磺酰胺基、磺酰 基、羧基、氰基、磺基、羟基、硝基、巯基、酰亚胺基、氨基甲酰基、磺 酰胺基等，这些基团还可以进一步被取代。此外，羧基及磺基可以形成盐。

此外，上述通式(I)中的R¹与R²可以连接而形成3～6元环的基团。 作为形成3～6元环的基团，可列举出环丙烷-1，1-二基、环丁烷-1，1-二基、 2，4-二甲基环丁烷-1，1-二基、3-二甲基环丁烷-1，1-二基、环戊烷-1，1-二基、 环己烷-1，1-二基、四氢吡喃-4，4-二基、噻烷-4，4-二基、哌啶-4，4-二基、N- 取代哌啶-4，4-二基、吗啉-2，2-二基、吗啉-3，3-二基、N-取代吗啉-2，2-二基、 N-取代吗啉-3，3-二基等，作为该N-取代基，可列举出碳原子数为1～10的 烷基、碳原子数为6～20的芳基、碳原子数为7～20的芳烷基、硝基、氰 基或卤素原子。

上述通式(I)中的R⁴与R⁵可以连接而形成6元环。作为该6元环， 可列举出苯环、环己烷环等(另外，为苯环时，无R³、R⁶)。此外，这些6 元环可以与其它环稠合或被取代，作为其例子，可列举出萘环、蒽环等。

作为上述通式(I)中的R⁷～R¹⁰表示的卤素原子，可列举出氟、氯、 溴、碘。

此外，上述通式(I)中的相邻的R⁷、R⁸、R⁹、R¹⁰及上述通式(IV) 中的相邻的R¹¹～R²⁶可以各自连接而形成5或6元环的基团。作为5元环 的基团，例如可列举出吡咯环、吡唑烷环、吡唑环、咪唑环、咪唑烷环、 噁唑环、异噁唑环、异噁唑烷环、噻唑环、异噻唑烷环等。作为6元环， 可列举出苯环、哌啶环、哌嗪环、吗啉环、硫代吗啉环、吡啶环、吡嗪环、 嘧啶环、哒嗪环、三嗪环等。这些环可以与其它环缩合或被取代，作为其 例子，可列举出萘环、喹啉环、异喹啉环、吲哚环、久洛尼定环、苯并噁 唑环、苯并三唑环、久洛尼定环、六氢-2H-喹嗪环、八氢-2H-喹嗪环等。

作为上述通式(II)中的R⁰¹、R⁰²、R⁰³、R⁰⁴及上述通式(II’)中的R⁰¹′ 表示的卤素原子，可列举出氟、氯、溴、碘等；作为上述通式(II)中的 R⁰¹、R⁰²、R⁰³、R⁰⁴及上述通式(II’)中的R⁰¹′表示的碳原子数为1～4的烷 基，可列举出甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、仲丁基、叔丁基、异丁 基等；作为该烷基中的亚甲基被-O-中断的基团，可列举出甲氧基、乙氧基、 丙氧基、异丙氧基、甲氧基甲基、乙氧基甲基、2-甲氧基乙基等；作为该 烷基中的亚甲基被-CO-中断的基团，可列举出乙酰基、1-羰基乙基、乙酰 基甲基、1-羰基丙基、2-氧代丁基、2-乙酰基乙基、1-羰基异丙基等，它们 均可具有取代基。

作为R⁰¹与R⁰⁴连接而形成的环烯环，可列举出环丙烯环、环丁烯环、 环戊烯环、环己烯环等；作为R⁰¹与R⁰⁴连接而形成的杂环，可列举出四氢 吡喃环、哌啶环、哌嗪环、吡咯烷环、吗啉环、硫代吗啉环、吡啶环、吡 嗪环、嘧啶环、哒嗪环、三嗪环、喹啉环、异喹啉环、咪唑环、噁唑环、 咪唑烷环、吡唑烷环、异噁唑烷环、异噻唑烷环等，这些环可以与其它环 稠合或被取代。

作为上述通式(II)中的R⁰¹、R⁰²、R⁰³、R⁰⁴及上述通式(II’)中的R⁰¹′ 表示的碳原子数为1～4的烷基、上述通式(II)中的R⁰¹与R⁰⁴连接而形成 的环结构的取代基，可列举出上述通式(I)的说明中例示的基团。取代基 中具有含有碳原子的取代基时，包含该取代基的R⁰¹～R⁰⁴、R⁰¹′表示的基团 整体的碳原子数满足规定的碳原子数范围。

作为上述通式(II’)中的可包含杂原子的5元环，例如可列举出咪唑 环、噻唑环、吡唑环、噁唑环、异噁唑环、噻吩环、呋喃环、吡咯环等， 作为上述通式(II’)中的可包含杂原子的6元环，例如可列举出吡啶环、 哌嗪环、哌啶环、吗啉环、吡嗪环、吡喃酮环、吡咯烷环等。

作为可取代包含G’及T’的环的卤素原子，可列举出R⁰¹～R⁰⁴、R⁰¹′的 说明中例示的基团。上述通式(II’)中，作为包含G’及T’的环可作为取代 基具有的碳原子数为1～4的烷基，可列举出R⁰¹～R⁰⁴、R⁰¹′的说明中例示 的基团，作为包含G’及T’的环可作为取代基具有的碳原子数为1～4的烷 氧基，可列举出由上述烷基衍生的基团。

作为上述通式(III)中的R^a～Rⁱ表示的碳原子数为1～4的烷基，可列 举出上述通式(II)的说明中例示的基团，作为该烷基中的亚甲基被-O-中 断的基团，可列举出甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基、甲氧基甲基、 乙氧基甲基、2-甲氧基乙基等，作为该烷基中的亚甲基被-CO-中断的基团， 可列举出乙酰基、1-羰基乙基、乙酰基甲基、1-羰基丙基、2-氧代丁基、2- 乙酰基乙基、1-羰基异丙基等。

作为上述通式(III)中的Q表示的可具有取代基的碳原子数为1～8 的亚烷基，可列举出亚甲基、亚乙基、亚丙基、甲基亚乙基、亚丁基、1- 甲基亚丙基、2-甲基亚丙基、1，2-二甲基亚丙基、1，3-二甲基亚丙基、1-甲 基亚丁基、2-甲基亚丁基、3-甲基亚丁基、4-甲基亚丁基、2，4-二甲基亚丁 基、1，3-二甲基亚丁基、亚戊基、亚己基、亚庚基、亚辛基、乙烷-1，1-二基、 丙烷-2，2-二基等，作为该亚烷基中的亚甲基被-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-、 -SO₂-、-NH-、-CONH-、-NHCO-、-N＝CH-或-CH＝CH-中断的基团，可列举 出亚甲基氧基、亚乙基氧基、氧基亚甲基、硫代亚甲基、羰基亚甲基、羰 基氧基亚甲基、亚甲基羰基氧基、磺酰亚甲基、氨基亚甲基、乙酰氨基、 亚乙基羧基酰胺、乙烷亚胺酰基、亚乙烯基、亚丙烯基等。

上述通式(III)中的R^a～Rⁱ表示的碳原子数为1～4的烷基、及上述通 式(III)中的Q表示的碳原子数为1～8的亚烷基可具有取代基。作为该取 代基，可列举出上述例示的基团，碳原子数也与上述相同。

上述通式(IV)中，作为R¹¹～R²⁶表示的卤素原子，可列举出上述通 式(II)的说明中例示的基团。

上述通式(IV)中，作为R及R’表示的碳原子数为1～4的烷基，可 列举出上述通式(II)的说明中例示的基团。

正如上述通式(IV)表明的那样，上述通式(IV)表示的甲亚胺络合 物阴离子是在金属原子上配位有2个甲亚胺配合基而得到的离子，这2个 甲亚胺配合基也可以彼此不同。

上述通式(I)表示的单次甲基花青阳离子具有下述[化学式5]所示那样 的共振结构，但也可以是通式(I)及(I’)中的任一结构式。本说明书中 以通式(I)为代表来表示。

此外，上述通式(I)表示的单次甲基花青阳离子中，有时存在以R¹ 与R²、R³与R⁴及R⁵与R⁶表示的基团键合的不对称碳原子为手性中心的对 映异构体、非对映异构体或外消旋体等光学异构体，可以将这些化合物中 的任何光学异构体单独分离使用，或者也可以以它们的混合物的形式使用。

[化学式5]

上述通式(I)中，R¹为碳原子数为1～5的烷基(特别是甲基)，R²为可被取代的碳原子数为7～12的芳烷基(特别是可被取代的苄基)，Y¹及Y²为碳原子数为1～8的烷基，上述通式(IV)中，M’为Fe、Co、Ni、 Cr或Mn(特别是Co)，R¹¹～R²⁶为氢原子、硝基、-NRR’、卤素原子或烷 基(特别是氢原子、硝基、-NRR’)时，由于利用激光进行光学记录时的分 解行为优异，且高感度，制造成本小，所以优选。

此外，由上述通式(I)表示的单次甲基花青阳离子和上述通式(IV) 表示的甲亚胺络合物阴离子构成的本发明的有机盐化合物中，下述通式(V) 表示的化合物由于制造成本小，作为吸收波长特性在380～420nm的短波 长激光用的光学记录介质的光学记录层具有高吸收，且分解行为优异，所 以优选。

(式中，R²、R⁷、R⁸、R⁹、R¹⁰、Y¹、Y²与上述通式(I)相同，z表示 0～4的数，R²⁷～R³⁵表示氢原子、卤素原子、硝基、氰基、羧基、碳原子 数为1～5的酯基、碳原子数为1～4的烷基或碳原子数为1～4的烷氧基， 相邻的R²⁷～R³⁵可以各自连接而形成碳原子数为3～12的碳环，R¹¹～R²⁶及M’与上述通式(IV)相同。)

上述通式(V)中，作为相邻的R²⁷～R³⁵可以各自连接而形成的碳原子 数为3～12的碳环，可列举出苯环、环己烯环、萘环等。

作为上述通式(I)表示的单次甲基花青阳离子的具体例子，可列举出 以下所示的阳离子No.1～139。以下的阳离子No.1～139中，双键也可以采 取共振结构。

上述通式(I)表示的单次甲基花青阳离子不受其制造方法的特别限定， 可以通过周知通常的合成花青化合物的方法获得。

作为上述通式(IV)表示的甲亚胺络合物阴离子的具体例，可列举出 以下的阴离子No.1～18。

上述通式(IV)表示的甲亚胺络合物阴离子不受其制造方法的特别限 定，可以通过周知通常的合成甲亚胺化合物的方法获得。

本发明的有机盐化合物不受其制造方法的特别限制。例如，通过使包 含上述通式(I)表示的单次甲基花青阳离子的化合物与包含上述通式(IV) 表示的甲亚胺络合物阴离子的化合物按照常规方法在溶剂中进行盐交换反 应，可以获得本发明的有机盐化合物。作为包含上述通式(I)表示的单次 甲基花青阳离子的化合物，可以使用由该单次甲基花青阳离子和BF₄^-、PF₆^-或SbF₆^-等阴离子构成的化合物。作为包含上述通式(IV)表示的甲亚胺络 合物阴离子的化合物，可以使用由该甲亚胺络合物阴离子和三乙基铵离子、 三甲基铵离子等铵离子及Na⁺、Li⁺、K⁺等碱金属离子等阳离子构成的化合 物。

由上述单次甲基花青阳离子和甲亚胺阴离子构成的本发明的有机盐化 合物适合作为针对380nm～1100nm范围的光的光学元件、优选针对380～ 620nm的范围的光的光学元件、更优选针对380～450nm的范围的光的光 学元件。该光学元件是指通过吸收特定的光而发挥功能的元件，具体而言， 可列举出光吸收剂、光学记录剂、光增感剂等。例如，光学记录剂用于BD-R 等光学记录介质中的光学记录层。

接着，以下对在基体上形成有光学记录层的光学记录介质的该光学记 录层中使用的、含有本发明的有机盐化合物而形成的本发明的光学记录材 料进行说明。

本发明的有机盐化合物对于在通过将信息利用激光等赋予为热信息图 案来进行记录的光学记录介质中的光学记录层中使用的光学记录材料是有 用的。另外，本发明的光学记录材料是为了形成光学记录层而使用的材料， 是本发明的有机盐化合物以及与根据需要而使用的后述有机溶剂和各种化 合物的混合物。

对于使用含有本发明的有机盐化合物的本发明的光学记录材料来形成 光学记录介质的光学记录层的方法，不受特别限制。通常可以使用湿式涂 布法，也可以使用蒸镀法、溅射法等，所述湿式涂布法是在有机溶剂中， 溶解本发明的有机盐化合物及根据需要的后述的各种化合物，制作溶液状 的光学记录材料，并将该光学记录材料通过旋涂、喷雾、浸渍涂布等方法 涂布到基体上，其中，所述有机溶剂为：甲醇、乙醇等低级醇类；甲基溶 纤剂、乙基溶纤剂、丁基溶纤剂、二乙二醇丁醚等醚醇类；丙酮、甲基乙 基酮、甲基异丁基酮、环己酮、二丙酮醇等酮类、乙酸乙酯、乙酸丁酯、 乙酸甲氧基乙酯等酯类；丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯等丙烯酸酯类、2，2，3，3- 四氟丙醇等氟代醇类；苯、甲苯、二甲苯等烃类；二氯甲烷、二氯乙烷、 氯仿等氯代烃类等。在使用上述有机溶剂时，其使用量优选为使本发明的 光学记录材料中的本发明的有机盐化合物的含量达到0.1～10质量％的量。

上述光学记录层以薄膜的形式形成，其厚度通常为0.001～10μm是合 适的，优选为0.01～5μm的范围。

此外，本发明的光学记录材料中，本发明的有机盐化合物的含量在本 发明的光学记录材料中所含的固体成分中优选为10～100质量％。上述光 学记录层优选按照在光学记录层中含有50～100质量％的该有机盐化合物 的方式形成，为了形成这样的有机盐化合物含量的光学记录层，以本发明 的光学记录材料中所含的固体成分为基准，本发明的光学记录材料进一步 优选含有50～100质量％的该有机盐化合物。

本发明的光学记录材料中所含的上述固体成分为从该光学记录材料中 除去有机溶剂等固体成分以外的成分而得到的成分，上述光学记录材料中， 该固体成分的含量优选为0.01～100质量％，更优选为0.1～10质量％。

本发明的光学记录材料中，除了本发明的有机盐化合物以外，根据需 要还可以含有本发明的有机盐化合物以外的花青化合物、偶氮系化合物、 酞菁系化合物、氧杂菁(oxonol)系化合物、方酸内鎓盐(squarylium)系 化合物、吲哚化合物、苯乙烯系化合物、卟吩系化合物、甘菊环型鎓盐 (azulenium)系化合物、克酮酸次甲酯(croconicmethine)系化合物、吡 喃鎓系化合物、硫代吡喃鎓系化合物、三芳基甲烷系化合物、二苯基甲烷 系化合物、四氢胆碱系化合物、靛酚系化合物、蒽醌系化合物、萘醌系化 合物、呫吨系化合物、噻嗪系化合物、吖啶系化合物、噁嗪系化合物、螺 吡喃系化合物、芴系化合物、若丹明系化合物等通常在光学记录层中使用 的化合物；聚乙烯、聚酯、聚苯乙烯、聚碳酸酯等树脂类；表面活性剂； 抗静电剂；润滑剂；阻燃剂；受阻胺等自由基捕获剂；二茂铁衍生物等凹 点(pit)形成促进剂；分散剂；抗氧化剂；交联剂；耐光性赋予剂等。进 而，本发明的光学记录材料还可以含有作为单态氧等的猝灭剂的芳香族亚 硝基化合物、铵鎓(aminium)化合物、亚胺鎓(iminium)化合物、二亚 胺鎓化合物、过渡金属螯合物等。本发明的光学记录材料中，上述各种化 合物优选在本发明的光学记录材料所含的固体成分中以达到0～50质量％ 的范围的量来使用。

设置这样的光学记录层的上述基体的材质只要是相对于写入(记录) 光及读出(再生)光实质上为透明的材料，则没有特别限制，例如可以使 用聚甲基丙烯酸甲酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯等树脂、玻璃等。 此外，其形状根据用途可以使用条状、筒状、带状、盘状等任意的形状。

此外，在上述光学记录层上，可以使用金、银、铝、铜等通过蒸镀法 或溅射法来形成反射膜，也可以使用丙烯酸树脂、紫外线固化性树脂等有 机物或者使用无机物通过溅射法来形成保护层。

本发明的光学记录材料适用于记录、再生中使用半导体激光的光学记 录介质，特别适用于高速记录型的CD-R、DVD±R、HD-DVD-R、BD-R等 公知的单层式、双层式、多层式光盘。

实施例

以下，通过实施例对本发明进行更详细地说明。但是，本发明并不受 以下的实施例等的任何限制。

实施例1～14是本发明的有机盐化合物的实施例(合成例)，实施例 15～16是使用了实施例1～2中获得的本发明的有机盐化合物的本发明的 光学记录材料、及使用了该光学记录材料的光学记录介质的实施例(制作 例)。

比较例1～5是使用了阴离子的结构与本发明的甲亚胺络合物阴离子不 同的有机盐化合物的光学记录材料及光学记录介质的例子，比较例6是使 用了阳离子的结构与本发明的单次甲基花青阳离子不同的有机盐化合物的 光学记录材料及光学记录介质的例子。

[实施例1]由阳离子No.78和阴离子No.8构成的有机盐化合物的合成

在氮置换后的反应烧瓶中，加入阳离子No.78的BF₄盐4mmol、阴离 子No.8的三乙基铵盐4mmol及二甲基甲酰胺9.16g，边搅拌边升温至40℃， 在该温度下搅拌2小时。然后，滴加甲醇18.32g，冷却至室温后，滤出晶 析的固体，干燥，得到4.24g(收率为92.6％)茶色晶体。所得到的茶色晶 体确认为目标物即由阳离子No.78和阴离子No.8构成的有机盐化合物。将 所得到的茶色晶体的分析结果示于[表1]～[表3]中。

[实施例2～14]由上述通式(I)表示的阳离子和阴离子No.8构成的有 机盐化合物的合成

除了将阳离子No.78变更为下述[表1]中记载的阳离子以外，通过与实 施例1同样的方法，合成由上述通式(I)表示的阳离子和阴离子No.8构 成的有机盐化合物。将所得到的有机盐化合物的分析结果示于[表1]～[表 3]中。

表1

表2

表3

[实施例15]光学记录材料及光学记录介质的制造

将实施例1中获得的有机盐化合物溶解于2，2，3，3-四氟丙醇中，使化合 物的浓度达到1.0质量％，以2，2，3，3-四氟丙醇溶液的形式获得光学记录材 料。在聚碳酸酯圆盘基板上，通过旋涂法在2000rpm、60秒的条件下涂布 该光学记录材料而形成光学记录层，获得光学记录介质No.1。

[实施例16]

除了将实施例1中获得的有机盐化合物变更为实施例2中获得的有机 盐化合物以外，通过与实施例15同样的方法来制作光学记录材料，使用该 光学记录材料获得光学记录介质No.2。

[比较例1～6]

除了在比较例1～5中将阴离子No.8变更为下述[表4]中记载的阴离 子，在比较例6中将阳离子No.78变更为下述[表4]中记载的阳离子以外， 与上述实施例15同样地制作光学记录材料，并使用该光学记录材料分别获 得比较光学记录介质No.1～No.6。

[表4]

比较阳离子No.1                    比较阴离子No.1

<耐光性试验>

测定所得到的光学记录介质及比较光学记录介质的UV吸收光谱在 405nm处的吸光度，接着，照射200小时照度为22000lux的光后，再次测 定UV吸收光谱在405nm处的吸光度。将照射前的吸光度设为100时，由 照射后的吸光度的比例算出残留率。将结果示于[表5]中。

[表5]

  光学记录介质   照射200小时时的残留率(％)   光学记录介质No.1   84.7   光学记录介质No.2   82.3   比较光学记录介质No.1   0.0   比较光学记录介质No.2   0.0   比较光学记录介质No.3   0.0   比较光学记录介质No.4   0.0

使用了本发明的有机盐化合物的光学记录介质No.1及2即使在照射 200小时后吸光度残留率也高，确认适合作为光学记录介质中使用的化合 物。另一方面，比较例中使用的有机盐化合物在照射200小时后吸光度残 留率为0％且耐光性不良。以上表明，本发明作为光学记录介质的耐光性优 异。

<感度试验>

测定所得到的光学记录介质及比较光学记录介质的UV吸收光谱在 405nm处的吸光度(Abs)。将结果示于[表6]中。此外，UV吸收光谱中的 λmax及λmax处的吸光度也示于[表6]中。

[表6]

 λmax(nm)   Abs   405nm处的Abs   光学记录介质No.1  432   0.427   0.360   光学记录介质No.2  436   0.403   0.335   比较光学记录介质No.1  426   0.385   0.309   比较光学记录介质No.2  427   0.373   0.290   比较光学记录介质No.3  426   0.336   0.269   比较光学记录介质No.5  438   0.351   0.268   比较光学记录介质No.6  513   0.332   0.134

使用了本发明的有机盐化合物的光学记录介质No.1在405nm处的吸收 高，确认为高感度。确认了光学记录介质No.2也显示良好的感度。另一方 面，比较光学记录介质在405nm处的吸收低，为低感度。以上表明，本发 明的光学记录介质的感度优异，适用于高速记录。