公开/公告号CN102351229A
专利类型发明专利
公开/公告日2012-02-15
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;
申请/专利号CN201110185320.5
申请日2011-07-01
分类号C01F11/02;
代理机构中科专利商标代理有限责任公司;
代理人汤保平
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
入库时间 2023-12-18 04:30:08
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-01-01
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C01F11/02 申请公布日:20120215 申请日:20110701
发明专利申请公布后的视为撤回
2012-03-28
实质审查的生效 IPC(主分类):C01F11/02 申请日:20110701
实质审查的生效
2012-02-15
公开
公开
机译: 掺杂材料掺杂材料的制备方法,用于成膜,分层产物的制备方法,掺杂膜形成掺杂材料和半导体膜
机译: 异种金属掺杂的锂钛复合材料的制备方法及异种金属掺杂的钛钛复合材料的制备方法
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