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Co掺杂CaO稀磁半导体材料的制备方法

摘要

一种Co掺杂CaO稀磁半导体材料的制备方法,包括如下步骤:步骤1:将Ca(C

著录项

  • 公开/公告号CN102351229A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-02-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;

    申请/专利号CN201110185320.5

  • 发明设计人 赵婧;刘喆;王军喜;李晋闽;

    申请日2011-07-01

  • 分类号C01F11/02;

  • 代理机构中科专利商标代理有限责任公司;

  • 代理人汤保平

  • 地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号

  • 入库时间 2023-12-18 04:30:08

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-01-01

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C01F11/02 申请公布日:20120215 申请日:20110701

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2012-03-28

    实质审查的生效 IPC(主分类):C01F11/02 申请日:20110701

    实质审查的生效

  • 2012-02-15

    公开

    公开

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