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优化CMOS图像传感器版图的方法及刻蚀方法

摘要

一种优化CMOS图像传感器版图的方法及刻蚀方法,其中刻蚀方法包括:提供衬底,所述衬底表面形成有介质层;在所述介质层表面形成光刻胶图形;以所述光刻胶图形为掩膜,刻蚀所述介质层,直至去除部分厚度的所述介质层;对所述介质层执行释放电荷工艺;以所述光刻胶图形为掩膜,刻蚀剩余所述介质层。本发明的刻蚀方法能够有效的保护被刻蚀介质的边角,本发明的优化CMOS图像传感器版图的方法,能够提高CMOS图像传感器的填充因子,有效地提高CMOS图像传感器的图像质量。

著录项

  • 公开/公告号CN101996261B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-12-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN200910056729.X

  • 发明设计人 罗飞;

    申请日2009-08-20

  • 分类号G06F17/50(20060101);H01L21/82(20060101);H01L21/311(20060101);

  • 代理机构11227 北京集佳知识产权代理有限公司;

  • 代理人李丽

  • 地址 201203 上海市浦东新区张江路18号

  • 入库时间 2022-08-23 09:12:02

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-12-05

    授权

    授权

  • 2012-11-28

    专利申请权的转移 IPC(主分类):G06F 17/50 变更前: 变更后: 登记生效日:20121025 申请日:20090820

    专利申请权、专利权的转移

  • 2011-05-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F 17/50 申请日:20090820

    实质审查的生效

  • 2011-03-30

    公开

    公开

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