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基于原子层沉积技术的高浓度铒铝共掺放大光纤及其制造方法

摘要

本发明涉及一种基于原子层沉积技术的高浓度铒铝共掺放大光纤及其制造方法,属光纤技术领域。本放大光纤由纤芯和包层组成,原子层沉积的铒铝混合薄膜位于纤芯结构中。本发明采用化学气相沉积法在特殊的改进化学气相沉积(MCVD)制棒机上依次进行包层及部分纤芯材料纯石英疏松层沉积,然后在石英疏松层上利用原子层沉积技术交替沉积Er2O3及Al2O3薄膜,得到光纤预制棒,最后进行拉制光纤。本发明中的基于原子层沉积技术的高浓度铒铝共掺放大光纤,具有均一性好、分散性高、掺杂浓度高、增益谱宽、放大效率高、结构简单、价位低廉、易于产业化生产等特点,可用于构建光纤激光器、光纤放大器及光纤传感器等。

著录项

  • 公开/公告号CN102253446A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-11-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海大学;

    申请/专利号CN201110190433.4

  • 申请日2011-07-08

  • 分类号G02B6/036(20060101);C23C16/40(20060101);C23C16/44(20060101);

  • 代理机构上海上大专利事务所(普通合伙);

  • 代理人何文欣

  • 地址 200444 上海市宝山区上大路99号

  • 入库时间 2023-12-18 03:43:07

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-06-05

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G02B6/036 申请公布日:20111123 申请日:20110708

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2012-01-04

    实质审查的生效 IPC(主分类):G02B6/036 申请日:20110708

    实质审查的生效

  • 2011-11-23

    公开

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