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光子隧穿发光二极管和方法

摘要

这里描述的实施例包括促进光子隧穿的LED。LED器件的一个实施例可以具有适于产生具有波长的光的量子阱层、在该量子阱层的第一侧的p掺杂合金层和在该量子阱层的另一侧的n掺杂合金层。该器件还可以包括与p掺杂合金层电连接的电极和与n掺杂合金层电连接的电极。根据一个实施例,该n掺杂合金层的厚度比由该量子阱层产生的光的波长小,以使得由该量子阱层产生的光能够隧穿到介质(例如,空气)。在另一个实施例中,整个层结构可以具有比该波长小的厚度。

著录项

  • 公开/公告号CN102150285A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-08-10

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 伊鲁米特克有限公司;

    申请/专利号CN200980135660.8

  • 发明设计人 D·T·董;W·G·弗里恩;

    申请日2009-07-28

  • 分类号

  • 代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;

  • 代理人杨国权

  • 地址 美国得克萨斯

  • 入库时间 2023-12-18 03:04:41

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-08-07

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L33/00 申请公布日:20110810 申请日:20090728

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2011-09-21

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L33/00 申请日:20090728

    实质审查的生效

  • 2011-08-10

    公开

    公开

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