一种用陶瓷抛光废料制备微晶玻璃-陶瓷复合装饰板材的方法

摘要

本发明公开了一种用陶瓷抛光废料制备微晶玻璃-陶瓷复合装饰板材的方法，属于资源综合利用与材料制备领域。该方法是通过下述步骤实现的：首先以陶瓷抛光废料为基础原料，并添加适当的配合料，制备微晶玻璃基础粉料；再对微晶玻璃基础粉料进行烧成、水淬制得微晶玻璃粉；再将微晶玻璃粉与陶瓷粉共压成型、微晶化处理制得微晶玻璃-陶瓷复合装饰板材。本发明采用的原料为陶瓷抛光废料，便于就地取材，具有生产成本低、产品质量好、生产操作简单和无二次污染等优点。

说明书

技术领域

本发明属于资源综合利用与材料制备技术领域，具体涉及一种利用陶瓷抛光废料制备微晶玻璃-陶瓷复合装饰板材的方法。

背景技术

微晶玻璃-陶瓷复合装饰板材是近几年来兴起的一种优质的装饰材料。具有色泽温和，色调纯正，花色可调，吸水率低，强度高，耐磨防腐性能好等诸多优点，是当前热销的建筑外墙及室内装饰材料。但微晶玻璃-陶瓷复合装饰板材的生产存在两大缺陷，导致成品率低，致使当前微晶玻璃-陶瓷装饰板材的市场价格居高不下，同时也影响了微晶玻璃-陶瓷装饰板材生产厂家规模化运营。

由于陶瓷抛光废料粒度较细，成分稳定。近年来，许多科研工作者从事陶瓷抛光废料综合利用工作。由于抛光废料主要为莫来石相，属瘠性料，目前利用起来还比较困难，且利用量不大。本发明是以陶瓷抛光废料为主要原料，用量较大。

本研究是用陶瓷抛光废料制备微晶玻璃粉，再将微晶玻璃粉与陶瓷砖相复合，由于两相成分较为相当，膨胀系数吻合较好，使得制备的材料性能稳定，不易脱落，强度较高，从而大大提高是成品率，降低的单块制品的成本。

发明内容

本发明的目的是针对上述现有技术的不足，而提供一种用陶瓷抛光废料制备微晶玻璃-陶瓷复合装饰板材的方法。该方法首先以陶瓷抛光废料为基础原料，并添加适当的配合料，制备微晶玻璃基础粉料；再对微晶玻璃基础粉料进行烧成、水淬制得微晶玻璃粉；再将微晶玻璃粉与陶瓷粉共压成型、微晶化处理制的微晶玻璃-陶瓷复合装饰板材。

具体工艺步骤如下所述：

1、首先将陶瓷抛光废料50％-70％、配合料硅质20％-40％和钙质5％-15％分别以60℃烘干8～10h。分别磨细至180～250目，再共磨1～3h，制得微晶玻璃基础粉料。基础粉料中氧化物含量：氧化硅含量为45％～65％，氧化钠含量为5％～15％，氧化钙含量为5％～15％，氧化镁含量为1％～10％，上述组分均为重量％。

2、将微晶玻璃基础粉料以8～12℃/min的升温速度，升温至1450～1550℃，保温1～3h，立刻倒入水槽中水淬。再将水淬后的粉粒烘干8～10h，并磨细至180～250目，制得微晶玻璃粉料。

3、将抛光砖造粒后的粉料与微晶玻璃粉料分层装入金属模具，压制成型。成型压力为15～30MPa。再将素坯以60℃烘干8～10h。

4、将制备好的坯体以60℃烘干6h后，转入高温炉烧成。烧成工艺参数为：升温速度为5～15℃/min的速度，升温至800～950℃核化，并保温60～120min，再升温至1050～1250℃晶化。

5、微晶化处理后的制品经合理退火既得成品。退火工艺参数为：降温速度为15～25℃/min，降温至550～650℃，并保温60～180min，再随炉冷却至室温。

本发明具有生产成本低、产品质量好、生产操作简单、无二次污染等优点。

具体实施方式

实施例一

1、首先将陶瓷抛光废料、配合料分别以60℃烘干8h。分别磨细至250目，再共磨3h，制得微晶玻璃基础粉料。

2、将微晶玻璃基础粉料以8℃/min的升温速度，升温至1550℃，保温3h，立刻倒入水槽中水淬。再将水淬后的粉粒烘干8h，并磨细至250目，制得微晶玻璃粉料。

3、将抛光砖造粒后的粉料与微晶玻璃粉料分层装入金属模具，压制成型。成型压力为30MPa。再将素坯以60℃烘干10h。

4、将制备好的坯体以60℃烘干6h后，转入高温炉烧成。烧成工艺参数为：升温速度为15℃/min的速度，升温至950℃核化，并保温120min，再升温至1250℃晶化。

5、微晶化处理后的制品经合理退火既得成品。退火工艺参数为：降温速度为25℃/min，降温至650℃，并保温180min，再随炉冷却至室温。

实施例二

1、首先将陶瓷抛光废料、配合料分别以60℃烘干8h。分别磨细至250目，再共磨3h，制得微晶玻璃基础粉料。

2、将微晶玻璃基础粉料以8℃/min的升温速度，升温至1500℃，保温3h，立刻倒入水槽中水淬。再将水淬后的粉粒烘干8h，并磨细至250目，制得微晶玻璃粉料。

3、将抛光砖造粒后的粉料与微晶玻璃粉料分层装入金属模具，压制成型。成型压力为30MPa。再将素坯以60℃烘干10h。

4、将制备好的坯体以60℃烘干6h后，转入高温炉烧成。烧成工艺参数为：升温速度为15℃/min的速度，升温至950℃核化，并保温120min，再升温至1250℃晶化。

5、微晶化处理后的制品经合理退火既得成品。退火工艺参数为：降温速度为25℃/min，降温至650℃，并保温180min，再随炉冷却至室温。

实施例三

1、首先将陶瓷抛光废料、配合料分别以60℃烘干8h。分别磨细至250目，再共磨3h，制得微晶玻璃基础粉料。

2、将微晶玻璃基础粉料以8℃/min的升温速度，升温至1450℃，保温3h，立刻倒入水槽中水淬。再将水淬后的粉粒烘干8h，并磨细至250目，制得微晶玻璃粉料。

3、将抛光砖造粒后的粉料与微晶玻璃粉料分层装入金属模具，压制成型。成型压力为30MPa。再将素坯以60℃烘干10h。

4、将制备好的坯体以60℃烘干6h后，转入高温炉烧成。烧成工艺参数为：升温速度为15℃/min的速度，升温至950℃核化，并保温120min，再升温至1250℃晶化。

5、微晶化处理后的制品经合理退火既得成品。退火工艺参数为：降温速度为25℃/min，降温至650℃，并保温180min，再随炉冷却至室温。

实施例四

1、首先将陶瓷抛光废料、配合料分别以60℃烘干8h。分别磨细至250目，再共磨3h，制得微晶玻璃基础粉料。

2、将微晶玻璃基础粉料以8℃/min的升温速度，升温至1500℃，保温3h，立刻倒入水槽中水淬。再将水淬后的粉粒烘干8h，并磨细至250目，制得微晶玻璃粉料。

3、将抛光砖造粒后的粉料与微晶玻璃粉料分层装入金属模具，压制成型。成型压力为15MPa。再将素坯以60℃烘干10h。

4、将制备好的坯体以60℃烘干6h后，转入高温炉烧成。烧成工艺参数为：升温速度为15℃/min的速度，升温至950℃核化，并保温120min，再升温至1250℃晶化。

5、微晶化处理后的制品经合理退火既得成品。退火工艺参数为：降温速度为25℃/min，降温至650℃，并保温180min，再随炉冷却至室温。

实施例五

1、首先将陶瓷抛光废料、配合料分别以60℃烘干8h。分别磨细至250目，再共磨3h，制得微晶玻璃基础粉料。

2、将微晶玻璃基础粉料以8℃/min的升温速度，升温至1550℃，保温3h，立刻倒入水槽中水淬。再将水淬后的粉粒烘干8h，并磨细至250目，制得微晶玻璃粉料。

3、将抛光砖造粒后的粉料与微晶玻璃粉料分层装入金属模具，压制成型。成型压力为15MPa。再将素坯以60℃烘干10h。

4、将制备好的坯体以60℃烘干6h后，转入高温炉烧成。烧成工艺参数为：升温速度为15℃/min的速度，升温至950℃核化，并保温120min，再升温至1200℃晶化。

5、微晶化处理后的制品经合理退火既得成品。退火工艺参数为：降温速度为25℃/min，降温至650℃，并保温180min，再随炉冷却至室温。

实施例六

1、首先将陶瓷抛光废料、配合料分别以60℃烘干8h。分别磨细至250目，再共磨3h，制得微晶玻璃基础粉料。

2、将微晶玻璃基础粉料以8℃/min的升温速度，升温至1550℃，保温3h，立刻倒入水槽中水淬。再将水淬后的粉粒烘干8h，并磨细至250目，制得微晶玻璃粉料。

3、将抛光砖造粒后的粉料与微晶玻璃粉料分层装入金属模具，压制成型。成型压力为20MPa。再将素坯以60℃烘干10h。

4、将制备好的坯体以60℃烘干6h后，转入高温炉烧成。烧成工艺参数为：升温速度为15℃/min的速度，升温至900℃核化，并保温120min，再升温至1200℃晶化。

5、微晶化处理后的制品经合理退火既得成品。退火工艺参数为：降温速度为25℃/min，降温至650℃，并保温180min，再随炉冷却至室温。

实施例七

1、首先将陶瓷抛光废料、配合料分别以60℃烘干8h。分别磨细至250目，再共磨3h，制得微晶玻璃基础粉料。

2、将微晶玻璃基础粉料以8℃/min的升温速度，升温至1550℃，保温3h，立刻倒入水槽中水淬。再将水淬后的粉粒烘干8h，并磨细至250目，制得微晶玻璃粉料。

3、将抛光砖造粒后的粉料与微晶玻璃粉料分层装入金属模具，压制成型。成型压力为15MPa。再将素坯以60℃烘干10h。

4、将制备好的坯体以60℃烘干6h后，转入高温炉烧成。烧成工艺参数为：升温速度为15℃/min的速度，升温至890℃核化，并保温90min，再升温至1200℃晶化。

5、微晶化处理后的制品经合理退火既得成品。退火工艺参数为：降温速度为25℃/min，降温至650℃，并保温180min，再随炉冷却至室温。

实施例八

1、首先将陶瓷抛光废料、配合料分别以60℃烘干8h。分别磨细至250目，再共磨3h，制得微晶玻璃基础粉料。

2、将微晶玻璃基础粉料以8℃/min的升温速度，升温至1500℃，保温3h，立刻倒入水槽中水淬。再将水淬后的粉粒烘干8h，并磨细至250目，制得微晶玻璃粉料。

3、将抛光砖造粒后的粉料与微晶玻璃粉料分层装入金属模具，压制成型。成型压力为25MPa。再将素坯以60℃烘干10h。

4、将制备好的坯体以60℃烘干6h后，转入高温炉烧成。烧成工艺参数为：升温速度为15℃/min的速度，升温至950℃核化，并保温90min，再升温至1150℃晶化。

5、微晶化处理后的制品经合理退火既得成品。退火工艺参数为：降温速度为25℃/min，降温至650℃，并保温180min，再随炉冷却至室温。

性能指标如下：

结果结论：

本发明采用的原料为陶瓷抛光废料，便于就地取材，既降低了运输和购置成本，同时利用本陶瓷厂的抛光废料和陶瓷粉生产的微晶玻璃-陶瓷复合装饰板材，能够很好的提高微晶玻璃层面与陶瓷板的亲和度，从而大大提高成品率，降低了生产成本，提高了产品的市场竞争力。

另外，本发明除熔化窑外，其他设备均可使用陶瓷厂现有设备完成，从而大大降低了投资建厂的设备购置经费，适于陶瓷企业扩展产品种类，开发高端产品的经营理念。