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纤锌矿硫化锌基稀磁半导体纳米棒的低温生长方法

摘要

本发明涉及一种纳米材料的制备方法,具体的说是一种纤锌矿硫化锌(ZnS)基稀磁半导体纳米棒的低温生长方法。该方法是采用水热法,以水和乙二胺为溶剂,硝酸锌和掺杂元素的硝酸盐及硫脲为原料,将掺杂元素按照一定比例掺杂到硫化锌的晶格中,实现了纤锌矿硫化锌基稀磁半导体纳米棒的制备;本发明的技术特点是水热法不但具有操作简单,低温生长,低耗费,易于实现大规模生产等优点。而且通过引入磁性离子,成功实现了纤锌矿硫化锌基稀磁半导体纳米棒的制备。本发明为其他高温稳定相纳米材料的低温合成提供了有效的后备方法。

著录项

  • 公开/公告号CN102097206A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-06-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 吉林师范大学;

    申请/专利号CN200910218045.5

  • 发明设计人 杨景海;曹健;张永军;

    申请日2009-12-09

  • 分类号H01F41/00;H01F1/40;B82B3/00;

  • 代理机构吉林省长春市新时代专利商标代理有限公司;

  • 代理人石岱

  • 地址 136000 吉林省四平市铁西区海丰大街1301号科研处

  • 入库时间 2023-12-18 02:34:45

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-06-04

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01F41/00 申请公布日:20110615 申请日:20091209

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2012-12-05

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01F41/00 申请日:20091209

    实质审查的生效

  • 2011-06-15

    公开

    公开

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