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一种纳米级Sn/SiC复合镀层的制备方法

摘要

一种纳米级Sn/SiC复合镀层的制备方法,涉及一种Sn/SiC复合镀层的制备方法。本发明是要解决目前纯锡镀层易生长锡须、机械性能差,以及常规纳米复合镀技术中纳米颗粒不易在阴极上共沉积的问题。制备方法:一、将SiC纳米颗粒用甲磺酸浸泡,然后加入分散剂,搅拌,之后依次加入甲磺酸亚锡、光亮剂、共沉积促进剂和主盐稳定剂组成电镀液;二、将阴极铜箔与纯锡阳极板平行放置于镀液中;三、调整阴极电流密度,机械搅拌和施镀交替进行,并始终保持压缩氮气搅拌,即完成纳米级Sn/SiC复合镀层的制备。制备的纳米级Sn/SiC复合镀层在抑制锡须生长、耐腐蚀性、硬度等方面都有显著提高。应用于可焊性电镀领域。

著录项

  • 公开/公告号CN102051657A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-05-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 哈尔滨工业大学;

    申请/专利号CN201110023904.2

  • 发明设计人 安茂忠;初红涛;张锦秋;杨培霞;

    申请日2011-01-21

  • 分类号C25D15/00(20060101);C25D3/32(20060101);

  • 代理机构23109 哈尔滨市松花江专利商标事务所;

  • 代理人韩末洙

  • 地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号

  • 入库时间 2023-12-18 02:21:58

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-08-22

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C25D15/00 公开日:20110511 申请日:20110121

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2011-06-29

    实质审查的生效 IPC(主分类):C25D15/00 申请日:20110121

    实质审查的生效

  • 2011-05-11

    公开

    公开

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