一种表面刻划法图案化生长单壁纳米碳管的方法

摘要

本发明涉及单壁纳米碳管的图案化制备技术，具体为一种通过表面刻划带有氧化硅的硅衬底图案化生长单壁纳米碳管的方法，适于高度定位和图案化生长高质量、无金属杂质残留的单壁纳米碳管。该方法以带有热氧化层的硅片作为衬底，首先使用尖锐物体在衬底表面刻划出一定的图案，该刻划操作会在衬底表面定域产生一些催化活性位，然后通过高温氧化处理形成单壁纳米碳管的成核点。进而，在600-1100℃条件下通过碳源的裂解制备单壁纳米碳管。本发明以一种简单的刻划硅衬底的方式，实现了不含有任何金属杂质的高质量单壁纳米碳管的定位和图案化生长，具有操作简便、成本低、定位性好和易于图案化的特点，为单壁纳米碳管在纳电子器件和传感器等领域的应用奠定了基础。