具有受控形态的掺杂二氧化铈研磨剂及其制备

摘要

本发明涉及掺杂的二氧化铈(CeO2)研磨剂颗粒，具有基本为八面体的形态。这种研磨剂用在水基浆料中用于化学机械抛光(CMP)基材，如硅晶片。本发明更具体地涉及钇掺杂的二氧化铈颗粒，其比表面积为10到120m2/g，其特征在于至少95wt％、优选至少99wt％的颗粒是单晶，还在于颗粒的表面包含超过70％、优选超过80％的与{111}面平行的面。还公开了用于合成这种产物的新的气相方法，包括步骤：提供热气流，和向上述气流中引入含铈反应物、含掺杂剂反应物和含氧反应物，选择所述气流的温度以雾化所述反应物，选择反应物以在冷却时形成掺杂的二氧化铈颗粒。基于上述二氧化铈的研磨剂浆料提供了抛光基材中低的诱发缺陷率，同时确保良好的去除率。