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使用纳米线阵列制造场发射电极的方法

摘要

本发明涉及一种制造场发射电极的方法,电极中纳米线根据产生的电磁场方向水平地、垂直地或以水平和垂直之间的任何角度进行排列。更具体地,本发明涉及一种制造场发射电极的方法,该电极具有根据产生的电磁场方向水平地、垂直地或以水平和垂直之间的任何角度进行排列的纳米线,所述方法包括以下步骤:将纳米线溶解在溶剂中,将得到的溶液分散到固定在电磁场发生器上部的衬底上,并固定沿着电磁场发生器产生的电磁场方向排列的纳米线。根据本发明,具有根据产生的电磁场方向排列的高密度纳米线的大容量场发射电极能够通过简单的工艺进行制造并且纳米线可作为阳极材料用于场发射显示器(FEDs)、传感器、电极、背光源等。

著录项

  • 公开/公告号CN101986418A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-03-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 韩国科学技术院;

    申请/专利号CN201010526331.0

  • 发明设计人 郑熙泰;尹相天;高永宽;

    申请日2007-07-25

  • 分类号H01J9/02(20060101);

  • 代理机构32200 南京经纬专利商标代理有限公司;

  • 代理人楼高潮

  • 地址 韩国大田广域市

  • 入库时间 2023-12-18 01:48:00

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-03-20

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01J9/02 申请公布日:20110316 申请日:20070725

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2011-05-04

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01J9/02 申请日:20070725

    实质审查的生效

  • 2011-03-16

    公开

    公开

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