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半导体晶圆保持保护用粘合片、半导体晶圆的背面磨削方法

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摘要

本发明的目的在于，提供一种半导体晶圆保持保护用粘合片及半导体晶圆的背面磨削方法，该粘合片能够有效地防止因近年来半导体晶圆的电路图案等的形成面中的凹凸引起的残胶。一种半导体晶圆保持保护用粘合片，其是用于粘附在半导体晶圆(20)表面来保持保护半导体晶圆(20)的粘合片(10)，在基材层(12)的单面配置有粘合剂层(11)，粘合层(11)的厚度为4～42μm，且25℃下的弹性模量为0.5～9MPa。

著录项

公开/公告号CN101993668A

专利类型发明专利
公开/公告日2011-03-30

原文格式PDF
申请/专利权人日东电工株式会社;
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申请/专利号CN201010249245.X
发明设计人佐佐木贵俊;浅井文辉;水野浩二;
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申请日2010-08-05
分类号C09J7/02(20060101);C09J133/08(20060101);C09J4/06(20060101);C09J4/02(20060101);H01L21/68(20060101);H01L21/304(20060101);
代理机构北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人刘新宇;李茂家
地址日本大阪府
入库时间 2023-12-18 01:48:00

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2014-04-16

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/304 申请公布日:20110330 申请日:20100805

发明专利申请公布后的视为撤回
2012-09-05

实质审查的生效 IPC(主分类):C09J7/02 申请日:20100805

实质审查的生效
2011-03-30

公开

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1. 半导体晶圆保持保护用粘合片、半导体晶圆的背面磨削方法 [P] . 中国专利： CN101993667A . 2011-03-30
2. 半导体晶圆保持保护用粘合片、半导体晶圆的背面磨削方法 [P] . 中国专利： CN101993668A . 2011-03-30
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