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一种薄膜生长中原位弱吸收光学薄膜厚度检测方法

摘要

本发明公开了一种薄膜生长中原位弱吸收光学薄膜厚度检测方法。该方法以镀有一层厚度足以引起干涉的打底膜为衬底,通过测量镀膜前后透(反)射谱的变化,即可实现薄膜厚度的测量。由于打底膜的厚度已经引起干涉,新镀上去的待测薄膜即使很薄,也会引起干涉的变化,由镀制待测薄膜前后透(反)射谱干涉的变化就可以很容易地准确测量出待测薄膜的厚度,其测量极限高达3nm以上。该方法可以准确测量纳米超薄膜的厚度,只需测量镀制待测薄膜前后的透(反)射谱,就可以快速获得待测薄膜的厚度,非常简单、快捷,特别适用于镀膜行业的在线检测和实时监控,尤其是对于弱吸收材料超薄膜的厚度测量,本发明方法克服了传统方法测量的困难。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-03-14

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G01B11/06 公开日:20100929 申请日:20100514

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2010-11-17

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01B11/06 申请日:20100514

    实质审查的生效

  • 2010-09-29

    公开

    公开

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