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在硅片上实现多个离子注入条件的实验方法

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本发明公开了一种在硅片上实现多个离子注入条件的实验方法，其通过对硅片分区域进行分别光刻，每次光刻后采用不同的离子注入条件进行离子注入来实现。

著录项

公开/公告号CN101752232A

专利类型发明专利
公开/公告日2010-06-23

原文格式PDF
申请/专利权人上海华虹NEC电子有限公司;
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申请/专利号CN200810044077.3
发明设计人陈华伦;罗啸;熊涛;陈瑜;陈雄斌;
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申请日2008-12-09
分类号H01L21/266;
代理机构上海浦一知识产权代理有限公司;
代理人丁纪铁
地址 201206 上海市浦东新区川桥路1188号
入库时间 2023-12-18 00:22:50

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2011-11-30

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/266 公开日:20100623 申请日:20081209

发明专利申请公布后的视为撤回
2010-08-18

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/266 申请日:20081209

实质审查的生效
2010-06-23

公开

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