标兵式晶粒挑拣方法

摘要

本发明为一种标兵式晶粒挑拣方法，首先提供一布满晶粒的晶圆，通过CCD系统(影像辨识与定位系统)，取得布满晶粒的晶圆图形(wafer map)，将晶圆图形划分成复数个划分区域，并纪录每个晶粒(包括标兵晶粒)间的相对位置以作为在晶粒挑拣过程中晶粒位移补偿修正参考基准，之后，再在所有复数个各别划分区域内中心位置选择一晶粒作为标兵晶粒，之后，以一划分区域内的起始标兵晶粒为起始点，选择晶粒总数数量最少的同级(Bin)晶粒开始挑拣，然后，依序采标兵方式逐一挑拣完所有划分区域内的同级晶粒，之后，再选择数量次少的同级(Bin)晶粒开使始挑拣，然后，依序也采标兵方式逐一挑拣完所有划分区域内的数量次的同级晶粒，如此反复则将所有晶粒挑拣完毕，由于在晶粒挑拣过程中会产生晶粒偏移的状况，故需作偏移补偿修正的动作，依本发明的上述方法步骤使能更快速及更精准的作晶粒的挑拣。

说明书

技术领域

本发明发明为一种有关于标兵式晶粒挑拣方法，特别是指一种为了使晶粒分级挑拣过程更精准及更有效率，所以需要使位移偏差补偿更有效果，而利用标兵来提高位移偏差补偿的能力，而同级挑拣则是为了使以往在整个挑检过程中不断换级挑拣而产生的做法，即通过标兵的选择加入以使位移偏差补偿更有效果，而同级挑拣则因减少换级(换Bin)次数而使得晶粒挑拣能更快速的一种全新晶粒挑拣方法。

背景技术

请参阅图1(请同时参照图2)，此图为本发明习知的其中一种晶粒挑拣方法的流程图，本图之流程如以下的方法步骤：

步骤10：将晶圆划分成复数个划分区域。

步骤11：起始划分区域内晶粒数量最多分级依序作晶粒挑拣。

步骤12：起始划分区域内晶粒数量次多分级依序作晶粒挑拣。

步骤13：划分区域内晶粒挑拣完毕再跨移至下一划分区域。

步骤14：将所有划分区域之晶粒依序挑拣完毕。

按，一般习知的晶粒挑拣的方法种类很多，上述即为其中一种的方法流程，但都有速度太慢、效率太差或是晶粒挑拣过程不够精准因而造成晶粒的误选的缺点，因此本发明人特提出一种全新的晶粒挑拣方法，亦即于习知的晶粒挑拣过程中将标兵加入位置偏差补偿概念中并晶粒同级(Bin)挑拣概念，来提高晶粒挑拣之准确性及速度效率，同时也提高了整体晶粒挑拣过程的高效能，由此可见，本发明实具有相当的可专利性及原创性，举目所及并无此类标兵跳跃式的晶粒挑拣方法公开使用，本发明发明实是独创的发明。

发明内容

本发明的目的在于提供一种标兵式晶粒挑拣方法，加入标兵的目的是为了在要求设备生产快又准的状况下，加强位移偏差补偿能力，以最精简有效的设备生产运作步骤，有效提升至以往技术所不能达到的的准确度及生产速度。一种为了使晶粒分级挑拣过程更精准及更有效率，所以需要使位移偏差补偿更有效果，而利用标兵来提高位移偏差补偿的能力；同级挑拣是为了使以往在整个挑检过程中不断换级挑拣造成制程时间上的浪费而产生的做法，即通过标兵以使位移偏差补偿更有效果，而因减少换级(换Bin)次数而使得晶粒挑拣更快速的一种全新晶粒挑拣方法，使达到与习知技术相比较能更减少换级(Bin)次数而能更快速作晶粒挑拣，且因标兵能有效调整修正补偿晶粒偏移量而降低晶粒挑拣时的误选机率，进而达到高效能晶粒挑拣目的。

为达上述的目的，本发明为一种标兵式晶粒挑拣方法，其方法步骤包括：a)提供一划分成复数个划分区域的晶圆图形(wafer map)；b)通过一摄影系统以绝对坐标作初次定位，以及不断纪录该晶圆图形内所有晶粒间的相对位置；c)在该晶圆图形的复数个划分区域内，都预先规划一标兵晶粒，以作为得到待挑拣晶粒目地坐标的路标，并且用来作为待挑拣晶粒位移偏差补偿的相对参考坐标位置；d)在该晶圆图形预设的划分区域内，选择一起始标兵晶粒，开始挑拣晶粒总数数量最少的同级(Bin)晶粒，直至该同级晶粒挑拣完毕为止；e)反复方法步骤d)，回到预先规划的该起始标兵晶粒位置，从头挑拣晶粒总数数量次少的同级晶粒，如此反复，直至该晶圆图形内所有各同级晶粒依晶粒总数依序换级(换Bin)，由晶粒总数最少至最多，该晶圆图形内所有晶粒挑拣完毕为止。

进一步，其中该复数个划分区域之划分是依该晶圆图形的左右边及上下边为边线开始划分。

进一步，其中该所有划分区域内的该标兵晶粒的选取是依人为设定选取条件加以选取，即预先规划适当距离的该标兵晶粒平均分布于该晶圆图形，以作为在晶粒挑拣路径上，当需经过大范围已挑拣晶粒区域时的路标。

进一步，其中该所有划分区域内的该标兵晶粒的选取条件更进一步包括以下三个设定条件：1)其中该标兵晶粒应为最接近该所预先规划的划分区域内的中心位置为最佳；2)各划分区域内所有晶粒与该标兵晶粒的距离皆不宜太远，如此彼此的相对位置不会过分误差；以及3)划分区域与划分区域间的该标兵晶粒间的距离皆不宜太远，如此该标兵晶粒与该另一标兵晶粒间的相对位置不会过分误差。

进一步，其中该摄影系统为一CCD系统。

进一步，其中该CCD系统是用来作为该晶圆图形的整片扫描以辨识计算所有晶粒的初始位置、等级(Bin)及数量等。

进一步，其中该方法步骤b)的不断纪录所有晶粒相对位置是作为晶粒挑拣时，因蓝膜(blue tape)顶破松弛导致所有待挑拣晶粒产生位移的相对位置调整补偿参考。

进一步，其中该方法步骤c)的该标兵晶粒挑选之后，该待挑拣晶粒的挑拣方式为如果该待挑拣晶粒在其它划分区域，则先跳回原先划分区域的标兵晶粒，之后，再跳到下个划分区域的标兵晶粒，之后，再跳到该待挑拣晶粒。

进一步，其中该方法步骤c)的该标兵晶粒挑选之后，该待挑拣晶粒的挑拣方式为如果该待挑拣晶粒在其它划分区域，则不需跳回原先划分区域的标兵晶粒，即直接跳到下个划分区域的标兵晶粒，之后，再跳到该待挑拣晶粒。

进一步，其中晶粒的挑拣为以该晶圆图形内的晶粒总数数量最少的同等级(相同Bin)晶粒开始挑拣。

进一步，其中该所有划分区域内晶粒挑拣是以晶粒位置偏移量作估算并以该标兵晶粒作路标，立即对当时该摄影系统影像范围内的其它晶粒位置作调校补偿，使晶粒挑拣时的误选降到最低。

进一步，其中该方法步骤d)的晶粒挑拣方法是以该起始标兵晶粒开始并采用数量最少的同级晶粒开始挑拣，在晶圆全片挑拣完毕之后再从头回到该起始标兵晶粒，由晶粒总数数量次少的同级晶粒挑拣，依序直至所有晶粒挑拣完毕，此种晶粒挑拣方式由于换级(换Bin)次数大大减少，因此也大大加快晶粒挑拣的速度。

进一步，其中该同级晶粒挑拣是先挑同级晶粒总数最少的晶粒，因开始挑的晶粒数量少，顶破蓝膜(blue tape)次数就少，所以蓝膜(bluetape)顶破松弛所累积造成的晶粒位移偏差量就小，因此从同级晶粒总数最少的晶粒先挑，此时未挑拣晶粒还很多，而使大部份未挑拣晶粒的位移偏差量可以通过此挑检顺序而降低，提高挑拣精确度。

附图说明

图1为本发明习知的晶粒挑拣方法流程图。

图2为本发明发明之晶粒挑拣方法流程图。

图3为本发明发明之晶粒挑拣方法平面示意图。

图中主要组件符号说明

10：晶圆划分成复数个划分区域。

11：起始划分区域内晶粒总数数量最多分级依序作晶粒挑拣。

12：起始划分区域内晶粒总数数量次多分级依序作晶粒挑拣。

13：起始划分区域内晶粒挑拣完毕跨移至下一个划分区域。

14：所有晶粒挑拣完毕。

20：晶圆划分区域形成一晶圆图形。

21：用CCD作晶圆图形之全片扫描以纪录所有晶粒之相对位置及等级(Bin)。

22：选择起始标兵晶粒及其它标兵晶粒。

23：从晶圆图形内各等级晶(Bin)粒之中，总数数量最少的同级(Bin)的晶粒开始挑拣。

24：起始划分区域内同级晶粒挑拣完毕再跨移至下一划分区域作同级晶粒挑拣。如果该待挑拣晶粒在其它划分区域，则先跳回原先划分区域之标兵晶粒，之后，再跳到下个划分区域之标兵晶粒，之后，再跳到该待挑拣晶粒；如果该待挑拣晶粒在其它划分区域，则也可以不需跳回原先划分区域之标兵晶粒，即直接跳到下个划分区域之标兵晶粒，之后，再跳到该待挑拣晶粒。

25：晶圆图形内数量次少作同级晶粒挑拣。

26：起始划分区域内同级晶粒挑拣完毕再跨移至下一划分区域作同级晶粒挑拣。如果该待挑拣晶粒在其它划分区域，则先跳回原先划分区域之标兵晶粒，之后，再跳到下个划分区域之标兵晶粒，之后，再跳到该待挑拣晶粒；如果该待挑拣晶粒在其它划分区域，则也可以不需跳回原先划分区域之标兵晶粒，即直接跳到下个划分区域之标兵晶粒，之后，再跳到该待挑拣晶粒。

27：所有晶粒挑拣完毕。

30：晶圆图形

31：蓝膜(blue tape)

32：标兵晶粒

33：起始标兵晶粒

34：划分区域

35：分级晶粒

36：偏移标兵晶粒

37：晶粒

具体实施方式

为使发明的技术特征能够进一步得到了解，特提出以下之详细说明：

请参阅图2(请同时参照图3)，此图为本发明的晶粒挑拣流程图，其方法步骤主要包括：

步骤20：将晶圆划分成复数个划分区域以形成一晶圆图形。

步骤21：用CCD作晶圆图形的全片扫描以纪录所有晶粒的相对位置及等级(Bin)。

步骤22：依设定条件在所有划分区域内选择标兵晶粒以作为晶粒挑拣的路标。

步骤23：从晶圆图形内各等级晶(Bin)粒之中，总数数量最少的同级(Bin)的晶粒开始挑拣。

步骤24：从起始划分区域内同级(Bin)晶粒挑拣完毕后再跨移至下一划分区域的标兵晶粒，作同级(Bin)晶粒挑拣，至所有划分区域内的同级(Bin)晶粒挑拣完毕。如果该待挑拣晶粒在其它划分区域，则先跳回原先划分区域的标兵晶粒，之后，再跳到下个划分区域的标兵晶粒，之后，再跳到该待挑拣晶粒；如果该待挑拣晶粒在其它划分区域，则也可以不需跳回原先划分区域的标兵晶粒，即直接跳到下个划分区域的标兵晶粒，之后，再跳到该待挑拣晶粒。

步骤25：从晶圆图形内晶粒总数数量次少开始挑拣。

步骤26：从起始划分区域内同级(Bin)晶粒挑拣完毕后再跨移至下一划分区域的标兵晶粒作同级(Bin)晶粒挑拣。如果该待挑拣晶粒在其它划分区域，则先跳回原先划分区域的标兵晶粒，之后，再跳到下个划分区域的标兵晶粒，之后，再跳到该待挑拣晶粒；如果该待挑拣晶粒在其它划分区域，则也可以不需跳回原先划分区域的标兵晶粒，即直接跳到下个划分区域的标兵晶粒，之后，再跳到该待挑拣晶粒。

步骤27：如此反复，直至所有划分区域内的各同级(Bin)晶粒依晶粒总数数量依序换级(换Bin)，由最少至最多，至所有晶粒挑拣完毕为止。

请参阅图3(请同时参照图2)，图3为本发明的晶粒挑拣方法平面示意图，由此图可知一全新的晶粒挑拣方法，其方法步骤如下：

通过CCD作晶圆图形30的全片扫瞄以辨识及计算晶圆图形30的所有晶粒37数量及相对位置等(请参考图3的a部分，当晶圆图形30的所有晶粒37开始整片扫瞄，以辨识及计算晶粒37的初始位置、等级与数量等)。

将晶圆图形30划分成复数个划分区域34并选定各划分区域34的标兵晶粒32及起始标兵晶粒33(请参考图3的b部分，依晶圆图形30的左右边与上下边为边线，开始划分区域34，并选定每个划分区域34的标兵晶粒32，尽量选择划分区域34中间的晶粒37为标兵晶粒32)。

由晶圆图形内的晶粒37总数数量最少的同级(Bin)的分级晶粒35开始挑拣(请参考图3的c部分，在晶粒37之挑检过程中因顶破蓝膜31而产生晶粒37的位置偏移，如图3的d部分的偏移标兵晶粒36)。若下个待挑拣的晶粒37在别的划分区域34，则应先跳回原先划分区域的该起始标兵晶粒，之后，再跳到下个划分区域的标兵晶粒，之后，再跳到该待挑拣晶粒，也可以不需跳回原先划分区域的标兵晶粒，即直接跳到下个划分区域的标兵晶粒，之后，再跳到该待挑拣晶粒。

采依序跳跃或直接跳跃到下个待挑拣晶粒的划分区域34的标兵晶粒32，然后再挑拣该颗待挑拣的晶粒37；如跳棋一般，一定要跳过目标划分区域34间路线上所经过的所有标兵晶粒32。

在作晶粒37挑拣的时候，会以被挑拣的晶粒37位置偏移量为标准，立即对当时CCD影像范围内的其它晶粒37位置做调校补偿(请参考图3的d部分)。

综合以上说明，可知本发明不但具有其优越功效，亦为熟悉此技艺之人士所不易思及，且从未先见于国内外刊物或已公开使用，本发明符合新颖性、创造性及实用性的专利三要件，提出申请，恳请批准。

有关上述实施例的选择与描述，纯粹是为了解释本发明发明的原理及其较佳实用模式，借以让熟习该项技艺者对其特定目的掌握其不同应用的变化。任何熟习该项技艺者虽因此可据以完成若干修改或变化，如仅非实质变更，其虽有达成相同的效果，然均属本发明的保护范围。