制造低k介电膜的方法及使用低k介电膜的气隙的形成

摘要

本发明披露了一种制造介电膜的方法以及一种使用制造的低k介电膜形成气隙的方法。制造低k介电膜的方法包括：将TMS和3、3-二甲基-1-丁烯导入到等离子体沉积反应器中，利用反应器中产生的等离子体来聚合TMS和3、3-二甲基-1-丁烯，从而在置于反应器中的衬底上沉积绝缘膜，以及使沉积的绝缘膜同时遭受热处理和ICP工艺。