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一种单分散二硫化钼纳米片的制备方法

摘要

本发明提供了一种单分散二硫化钼纳米片的制备方法,其特征在于,以氧化钼和硫的混合物为原料,通过球磨在保护气氛下使其活化,然后将混合物在400-700℃温度氛围下进行恒温退火,使之完全硫化,从而制得单分散二硫化钼纳米片状颗粒。本发明通过简单有效的化学合成方法制备了大量的单分散片状二硫化钼纳米材料,方法简单快捷,生产成本低,为其在润滑和催化方面的广泛应用提供了可能。

著录项

  • 公开/公告号CN101712492A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2010-05-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中南大学;

    申请/专利号CN200910227198.6

  • 发明设计人 王德志;吴壮志;孙傲魁;汪异;

    申请日2009-12-11

  • 分类号C01G39/06;B82B3/00;

  • 代理机构长沙市融智专利事务所;

  • 代理人颜勇

  • 地址 410083 湖南省长沙市岳麓区麓山南路1号

  • 入库时间 2023-12-17 23:52:51

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-08-07

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C01G39/06 申请公布日:20100526 申请日:20091211

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2010-08-04

    实质审查的生效 IPC(主分类):C01G39/06 申请日:20091211

    实质审查的生效

  • 2010-05-26

    公开

    公开

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