被检查体的检查方法和被检查体的检查用程序

摘要

本发明提供一种被检查体的检查方法和被检查体的检查用程序。本发明的检查方法的特征在于：在控制装置(14)的控制下，使载置晶片(W)的载置台(11)移动，使探测卡(12)的多个探针(12A)与晶片(W)的两个器件(D)电接触，在对所有器件(D)进行电特性检查时，在结束所有的器件(D)的电特性检查后，在多个探针(12A)接触的两个器件之中，在第二个器件(D)中发生了检查不良的情况下，对所有器件(D)进行再检查，在进行再检查时，将探测卡(12)和晶片(W)接触的此次的接触位置从上次的检查中的接触位置错开一个器件的量，每次进行2个器件(D)的电特性检查。

说明书

技术领域

本发明涉及同时进行多个器件的电特性检查的被检查体的检查方法，更详细地说，涉及即使由于特定的通路(channel)的不良而发生检查不良，也能够恢复该检查不良的被检查体的检查方法和被检查体的检查用程序。

背景技术

作为现有的检查装置的探测装置，例如图3所示，具备相邻的装载室1和探测室2。装载室1具备：以盒单位收纳多个晶片W的收纳部；从盒内逐个搬出搬入晶片W的晶片搬送机构；和在利用晶片搬送机构搬送晶片W的期间对晶片W进行预对准的预对准机构。探测室2具备：保持晶片W并能够在X、Y、Z、θ方向移动的载置台3；具有多个探针4A的探测卡4，该多个探针4a与在该载置台3上载置的晶片W的所有器件之中的多个器件的电极垫接触；利用卡保持具(未图示)固定该探测卡4的固定机构5；和电连接探测卡4和测试头T的连接环6，在控制装置的控制下通过测试头T、连接环6和探测卡4使未图示的测试器与多个器件电连接，进行电特性检查。另外，在图3中，7是与载置台3协同作用进行晶片W和探测卡4的对位的对准机构，7A是上摄像机，7B是下摄像机，8是安装有探测卡3的固定机构5的顶板。

而且，例如图4所示，在使用通过一次接触同时检查X方向的两个器件的探测卡4的情况下，如图4的箭头所示，在使载置台3向X方向右方移动，探测卡在最初的接触位置P1与两个器件D电接触而进行检查之后，如图4的箭头所示，向X方向每次分度发送两个器件D，如果在接触位置P2结束第一行的最后两个器件D的检查，则仅向Y方下方分度发送一个器件的量，在第二行中向与第一行反向的X方向左方每次进行两个器件D的检查。对于各行的器件D按照同一方法反复进行检查，对晶片W的所有器件进行电特性检查，如果存在不良品(不合格品)器件D则检查出该器件D。然后，如果一个晶片W的检查结束，则与下一个晶片W进行交换，按照同样的顺序对交换后的晶片W进行电特性检查。其中，图4表示到晶片W的中途为止的检查结果，图4中的4A表示检查途中的探测卡的探针。此外，晶片W内的粗线表示成为检查对象的器件D。

然而，关于初次检查的结果，如果器件D的不良品(不合格品)率超过容许范围，则接着对该晶片W再一次重复进行相同的检查，确认不良品率。如果在第二次的检查中不良品率在容许范围内，则与下一个晶片W交换并进行检查。

但是，如图4中阴影所示那样，在初次的检查中存在总在特定的器件D有规律地发生检查不良的情况。在这种情况下，即使按照与初次相同的顺序进行第二次检查也只是得到相同的结果，不会降低存在检查不良的器件D(在图4中用阴影表示的器件)的发生个数，如果在这种状态下判断为不良品就会降低成品率。此外，再检查花费额外的时间，降低测试器的运转效率。

发明内容

本发明是为了解决上述问题而完成的，其目的在于提供一种被检查体的检查方法和被检查体的检查用程序，在初次检查中总在特定的器件D中有规律地发生检查不良的情况下，在第二次检查中能够确认该检查不良是否是器件不良引起的，进而能够提高成品率并且不会浪费第二次检查而使测试器的运转效率提高。

本发明人对图4所示的检查不良的发生原因进行了各种研讨，结果发现，在初次的检查中之所以在特定的器件中有规律地发生检查不良，是由于在探测卡或测试器侧的通路中存在问题。

本发明是基于上述见解而完成的，第一方面的被检查体的检查方法是在控制装置的控制下，使载置被检查体的载置台移动，使探测卡的多个探针与上述被检查体的所有器件之中的多个器件电接触，对上述的所有器件每次多个地进行电特性检查的被检查体的检查方法，其特征在于：在结束上述的所有器件的电特性检查后，在上述多个探针接触的器件之中，在总在特定的器件中发生检查不良的情况下，对上述的所有器件进行再检查，在进行再检查时，将上述探测卡和上述被检查体接触的位置从上次的检查中的接触位置至少错开一个器件的量，每次多个地进行上述器件的电特性检查。

此外，本发明的第二方面的被检查体的检查方法是在控制装置的控制下，使载置被检查体的载置台移动，使探测卡的多个探针与上述被检查体的所有器件之中的多个器件电接触，对上述的所有器件每次多个地进行电特性检查的被检查体的检查方法，其特征在于，包括：通过上述载置台使上述被检查体每次移动多个器件的量，使上述被检查体与上述探测卡电接触，每次多个地进行上述器件的电特性检查的第一工序；在结束上述所有器件的检查之后，检测在上述多个探针接触的器件之中，是否总在特定的器件中发生了检查不良的第二工序；和在总在上述的特定的器件中发生检查不良的情况下实施再检查的第三工序，其中，第三工序包括：将上述被检查体和上述探测卡最初接触的位置从上次的检查中的最初的接触位置至少错开一个器件的量的工序；和从此次的最初的接触位置起每次多个地进行上述器件的电特性检查的工序。

此外，本发明的第三方面的被检查体的检查用程序，是通过驱动计算机，使载置被检查体的载置台移动，使探测卡的多个探针与上述被检查体的所有器件之中的多个器件电接触，对上述所有器件每次多个地进行电特性检查的被检查体的检查用程序，其特征在于：在结束上述的所有器件的电特性检查后，在上述多个探针接触的器件之中，总在特定的器件中发生检查不良的情况下，对上述的所有器件进行再检查，在进行再检查时，将上述探测卡和上述被检查体接触的位置从上次的检查中的接触位置至少错开一个器件的量，每次多个地进行上述器件的电特性检查。

此外，本发明的第四方面的被检查体的检查用程序，是通过驱动计算机，使载置被检查体的载置台移动，使探测卡的多个探针每次分别与上述被检查体的所有器件之中的多个器件电接触，对上述所有器件每次多个地进行电特性检查的被检查体的检查用程序，其特征在于：驱动上述计算机，使得执行如下工序：通过上述载置台使上述被检查体每次移动多个器件的量，使上述被检查体与上述探测卡电接触，每次多个地进行上述器件的电特性检查的第一工序；在结束上述所有器件的检查之后，检测在上述多个探针接触的器件之中，是否总在特定的器件中发生了检查不良的第二工序；和在总在上述的特定的器件中发生了检查不良的情况下实施再检查的第三工序，其中，在第三工序中，使得执行如下工序：将上述被检查体和上述探测卡最初接触的位置从上次的检查中的最初的接触位置至少错开一个器件的量的工序；和从此次的最初的接触位置起每次多个地进行上述器件的电特性检查的工序。

根据本发明，能够提供一种被检查体的检查方法和被检查体的检查用程序，在初次检查中在总在特定的器件D中有规律地发生检查不良的情况下，在第二次检查中能够确认该检查不良是否是器件不良引起的，进而能够提高成品率并且不会浪费第二次检查而使测试器的运转效率提高。

附图说明

图1是表示为了实施本发明的被检查体的检查方法而使用的检查装置的一例的结构图。

图2(a)、(b)是分别表示基于使用图1所示的检查装置的检查方法的存在检查不良的器件的分布状态的平面图，(a)是表示初次检查的图，(b)是表示第二次检查的图。

图3是截断表示现有的探测装置的一例的一部分的正面图。

图4是表示使用图3所示的检查装置的现有的检查方法的晶片和探测卡的探针的关系的平面图。

符号说明

10探测装置(检查装置)

11载置台

12探测卡

12A探针

W晶片(被检查体)

D器件

具体实施方式

以下，基于图1、图2所示的实施方式对本发明进行说明。其中，在各图中，图1是表示为了实施本发明的被检查体的检查方法而被使用的检查装置的一例的结构图，图2(a)、(b)是分别表示基于使用图1所示的检查装置的检查方法的存在检查不良的器件的分布状态的平面图，(a)是表示初次检查的图，(b)是表示第二次检查的图。

首先，对实施本实施方式的被检查体的检查方法的检查装置(探测装置)进行说明。例如如图1所示，该探测装置10具备：在探测室内能够向X、Y、Z、θ方向移动的载置台11；配置在载置台11的上方的探测卡12；和进行载置台11上的晶片W与探测卡12的对位的对准机构13，在控制装置14的控制下，载置台11和对准机构13协作，在进行晶片W的器件的多个电极垫与探测卡12的多个探针12A的对位后，载置台11分度发送晶片W，进行晶片W的各器件的电特性检查。

如图1所示，载置台11具有由X方向驱动机构、Y方向驱动机构和Z方向驱动机构构成的驱动机构11A。因而，载置台11构成为，在控制装置14的控制下通过驱动机构11A向X、Y、Z、θ方向移动。

如图1所示，探测卡12具有多个探针12A，通过卡保持具15被固定在顶板16上。多个探针12A构成为，与形成在晶片W上的多个器件D(参照图2)之中的至少与两个器件D接触。多个探针12A同时接触的器件D，根据器件D的种类而不同，存在在纵横方向上分别矩阵状排列有多个的情况，以及在横方向或纵方向上至少排列有两个的情况。在本实施方式中，如图2(a)、(b)所示，多个探针12A与在横方向上排列的两个器件D接触。

如图1所示，对准机构13具备：在载置台11和探测卡12之间移动的第一摄像机13A；设置在载置台11的侧面的第二摄像机13B；和固定有第一摄像机13A的对准桥13C。第一摄像机13A通过对准桥13C在从探测室的内部至探测中心(位于探测卡的中心的延长线上)之间移动，在探测中心对向X、Y方向移动的载置台11上的晶片W进行摄像。第二摄像机13B通过载置台11向探测卡12的探针12A的正下方移动，在该位置对探针12A进行摄像。

控制装置14以计算机为主体而构成，该计算机包括：存储本发明的检查用程序、其它程序，进而存储各种检查用的数据的存储部14A；根据来自第一、第二摄像机13A、13B的摄像信号进行图像处理的图像处理部14B；和在存储部14A与图像处理部14B之间接收发送各种数据并进行运算处理的中央运算处理部14C。中央运算处理部14C从存储部14A读出检查用程序等，对载置台11、对准机构13等构成设备进行控制，或根据目的对表示检查结果的数值数据、图像数据进行各种数据加工。

接着，对使用本发明的被检查体的检查用程序的一个实施方式的检查方法进行说明。

当通过本实施方式的检查用程序驱动控制装置14的计算机时，中央运算处理部14C从存储部14A读出检查用程序并执行本实施方式的检查方法。当执行本实施方式的检查方法时，从装载室接到晶片W的载置台11通过驱动机构11A向X、Y方向移动，并在规定的角度范围内向θ方向旋转，使晶片W的划线(scribe line)在X、Y方向一致。

与此同时，使用对准机构13的第二摄像机13B测定探针12A的针尖位置，使用第一摄像机13A测定与探针12A对应的晶片W的电极垫，由此进行晶片W和探测卡12的对准之后，进行晶片W的检查。

在对准后，载置台11使最初将要检查的器件D向探测卡12的正下方移动，使晶片W从该位置上升，使最初的两个器件D的多个电极垫和与它们对应的多个探针12A接触，进一步进行过驱动使多个电极垫和多个探针12A电接触而进行两个器件D的电特性检查。接着，与现有技术同样，载置台11将晶片W向X方向右方每次分度发送两个器件D的量，并且在器件的行的转折点向Y方向下方分度发送一个器件的量，如图2(a)所示，切换分度发送的方向，直到最后的器件D为止，每次两个地进行电特性检查。

在结束对晶片W的所有器件的检查后，如果器件的检查不良率在容许范围内，则与下一个晶片W交换，以同一方式对交换后的晶片W进行检查。

然而，假定针对晶片W的所有器件D的检查的结果是，在中央运算处理部14C中检测出不良品率超过容许范围，存在检查不良的器件D的分布例如如图2(a)所示，在多个探针12A接触的两个器件之中，总在特定的器件D(在图2(a)中是在探针12A的两个器件之中的用阴影表示的第二个器件)上有规律地发生检查不良。在此情况下，再次进行该晶片W的检查，不知道检查不良是由于器件D的不良引起的，还是由于探测卡12或测试器侧的通路的不良引起的。于是，在本实施方式的检查用程序中按照以下的方式实施再检查。另外，在图2(a)中，将探测卡12的多个探针12A最初接触的两个器件D所在的区域表示为以虚线包围的接触区域P1。

在进行再检查的情况下，如图2(b)所示，将探测卡12和晶片W最初接触的位置从上次的检查中的最初的接触区域P1(参照图2(a))向X方向右方仅错开(移动)1个器件的量，在接触区域P1’对两个器件D进行电特性检查。由此，使用在上次的检查中无检查不良的探针12A(以下称为“第一探针12”)检查上次的检查不良的器件D。因而，在此次的检查中第一探针12A检查上次的检查不良的器件D，使用第二探针12A检查上次的正常的器件D。如果在此次的检查中使用第一探针12A检查的器件D未成为检查不良，则该器件D作为正常且没有缺陷的器件D被检查出。此外，在此次的检查中，使用第二探针12A检查过的器件D即使是正常的器件D也成为检查不良。在此次的检查中，如果使用第一探针12A检查的器件成为检查不良，则作为在该器件D中存在缺陷的不良品被检查出。

这样，在此次检查中，使用没有缺陷的正常的第一探针12A检查上次的成为检查不良的器件D，能够知道是否是器件本身存在缺陷。然后，使用正常的第一探针12A检查的结果是，如果未成为检查不良则将该器件D划分为良品，如果为检查不良则将该器件D划分为存在缺陷的不良品。由此，在上次的检查中判断为不良品的器件D中的很多作为良品而被补救，能够使产品的成品率提高。此外，不会浪费第二次检查而是有效地利用第二次检查，能够提高测试器的运转效率。

如上所述，根据本实施方式，在控制装置14的控制下，使载置晶片W的载置台11移动，使探测卡12的多个探针12A与晶片W的所有器件D之中的两个器件D电接触，针对所有的器件D每次两个地进行电特性检查时，包括：通过载置台11使晶片W每次移动两个器件的量，使晶片W与探测卡12电接触，每次对两个器件D进行电特性检查的第一工序；在结束所有器件D的检查之后，在中央运算处理部14C中对在多个探针12A接触的器件D之中，是否总在特定的器件中发生了检查不良进行检测的第二工序；和在总在特定的器件中发生了检查不良的情况下实施再检查的第三工序，其中，第三工序包括将晶片W和探测卡12最初接触的接触区域P1’从上次的检查中的最初的接触区域P1错开一个器件的量的工序，和从此次的最初的接触区域P1’起每次两个地进行器件D的电特性检查的工序，因此，在初次的检查中在特定的器件D上有规律地发生了检查不良的情况下，进行第二次检查，在第二次检查中使用在第一次检查中未发生检查不良的第一探针12A检查在第一次检查中成为不良品的器件D，能够检查出第一次的检查不良是否是器件D的原因，进而能够降低器件D的不良品率，提高成品率，并且能够不浪费第二次的检查而提高测试器的运转效率。

另外，在上述实施方式中，对每次同时检查2个器件D的情况进行了说明，但本发明也能够适用于同时检查三个以上的器件的情况。此外，在上述实施方式中，在第二次检查中与第一次检查的情况相比使晶片W向检查方向的下游侧错开(移动)一个器件的量，但也可以使晶片W向上游侧移动一个器件的量。此外，在同时检查三个以上的器件时在相邻的两个器件上连续发生了检查不良的情况下，能够使晶片W移动两个的量而进行检查。

产业上的可利用性

本发明能够在进行晶片等被检查体的电特性检查时适当利用。