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石英玻璃坩埚以及使用该石英玻璃坩埚的硅单晶提拉方法

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摘要

本发明提供用于硅单晶提拉的石英玻璃坩埚，是将非晶质二氧化硅结晶化而成的结晶二氧化硅的面积抑制在坩埚面积的10％以下，将坩埚内表面的开气泡产生的凹部的密度限制在0.01～0.2count/mm

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2013-07-31

发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C30B15/10 申请公布日:20100113 申请日:20080710

发明专利申请公布后的驳回
2010-03-10

实质审查的生效

实质审查的生效
2010-01-13

公开

公开

1. 石英玻璃坩埚以及使用该石英玻璃坩埚的硅单晶提拉方法 [P] . 中国专利： CN101624721A . 2010-01-13
2. 硅单晶的制造方法、硅单晶提拉装置以及石英玻璃坩埚 [P] . 中国专利： CN101899704A . 2010-12-01
3. QUARTZ GLASS CRUCIBLE, METHOD FOR PRODUCING SILICON SINGLE CRYSTAL USING SAME, METHOD FOR MEASURING INFRARED TRANSMITTANCE OF QUARTZ GLASS CRUCIBLE, AND METHOD FOR MANUFACTURING QUARTZ GLASS CRUCIBLE [P] . 世界知识产权组织专利： WO2020137648A1 . 2020-07-02

机译：石英玻璃坩埚，使用其制造硅单晶的方法，石英玻璃坩埚的红外透射率的测量方法以及制造石英玻璃坩埚的方法
4. Quartz glass crucible and pulling method of silicon single crystal using same [P] . 韩国专利： KR101063770B1 . 2011-09-08

机译：石英玻璃坩埚及使用该坩埚的硅单晶的提拉方法
5. Quartz glass crucible, manufacturing method of silicon single crystal using same, and infrared transmittance measurement method and manufacturing method of quartz glass crucible [P] . KR20210095674A . 2021-08-02

机译：石英玻璃坩埚，使用相同的硅单晶制造方法，以及石英玻璃坩埚的红外透射率测量方法和制造方法