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在半导体激光器的波长选择、相位、以及增益区域中的波长控制

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摘要

本发明的特定实施例一般地涉及半导体激光器和激光器扫描系统，尤其涉及用于控制半导体激光器的方案。根据本发明一实施例，激光器被配置用于编码数据的光发射。光发射的至少一个参数因变于注入半导体激光器的增益段的驱动电流I

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-10-08

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H04N9/31 授权公告日:20120229 终止日期:20181011 申请日:20071011

专利权的终止
2012-02-29

授权

授权
2009-12-16

实质审查的生效

实质审查的生效
2009-10-14

公开

公开

1. 在半导体激光器的波长选择、相位、以及增益区域中的波长控制 [P] . 中国专利： CN101558653A . 2009-10-14
2. 波长选择开关和控制波长选择开关中的空间相位调制器的方法 [P] . 中国专利： CN104756422A . 2015-07-01
3. Wavelength Control in Wavelength Selective, Phase, and Gain Regions of Semiconductor Laser [P] . 韩国专利： KR101399708B1 . 2014-05-27

机译：半导体激光器的波长选择，相位和增益区域中的波长控制
4. WAVELENGTH CONTROL IN WAVELENGTH SELECTIVE, PHASE, AND GAIN REGIONS OF SEMICONDUCTOR LASERS [P] . IN2009DN02485A . 2010-08-20

机译：半导体激光器的波长选择，相位和增益区域中的波长控制
5. WAVELENGTH CONTROL IN WAVELENGTH SELECTIVE, PHASE, AND GAIN REGIONS OF SEMICONDUCTOR LASERS [P] . 欧洲知识产权局专利： EP2084914B1 . 2010-09-15

机译：半导体激光器的波长选择，相位和增益区域中的波长控制