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一种成形高硅铝合金封装壳体结构件半固态成形工艺方法

摘要

本发明属于电子封装技术领域,特别是提供了一种用半固态技术制备高Si铝合金封装壳体结构件成形工艺。其特征是对块状A356铝合金进行干燥处理、熔化后向保铝合金液加入体积分数为10%-24%的Si颗粒,边加入边均匀搅拌,得到Si含量为16%-30%的铝合金半固态坯料。电子封装壳体的成形腔设计在挤压模具凹模腔的底部边缘水平方向。半固态挤压成形电子封装壳体:成形速度控制在80mm/s-140mm/s,成形温度为575℃-579℃。用低Si体积分数铝合金通过半固态挤压成形工艺来制备高Si体积分数铝合金电子封装壳体,扩大了半固态技术的应用领域,拓展了电子封装壳体的制造途径,使用该工艺,不但可以实现电子封装壳体的短流程、近终形的成形制造,而且可以降低能源消耗,提高产品质量。

著录项

  • 公开/公告号CN101537479A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2009-09-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京科技大学;

    申请/专利号CN200910083636.6

  • 发明设计人 王开坤;

    申请日2009-05-06

  • 分类号B22D18/02;

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 100083 北京市海淀区学院路30号

  • 入库时间 2023-12-17 22:44:28

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-05-04

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):B22D18/02 公开日:20090923 申请日:20090506

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2009-11-11

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-09-23

    公开

    公开

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