公开/公告号CN101542755A
专利类型发明专利
公开/公告日2009-09-23
原文格式PDF
申请/专利权人 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司;
申请/专利号CN200780043366.5
申请日2007-08-28
分类号H01L33/00;
代理机构中国专利代理(香港)有限公司;
代理人张涛
地址 德国雷根斯堡
入库时间 2023-12-17 22:44:28
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2011-04-13
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L33/00 公开日:20090923 申请日:20070828
发明专利申请公布后的视为撤回
2009-11-11
实质审查的生效
实质审查的生效
2009-09-23
公开
公开
机译: 发光二极管芯片的制造应用辐射去耦表面和具有外延生长的具有有源区的半导体层序列的半导体本体
机译: 用作发光二极管或半导体激光器的发射辐射的半导体组件包括有源层,接触面和圆柱形半导体本体
机译: 在发光二极管芯片的生产中使用的发射辐射的半导体部件包括半导体本体,结构化的接触层以及设置在接触层上方以形成自由表面的中间腔室