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一种在环境扫描电镜中原位生长磷酸二氢钾单晶体的方法

摘要

一种在环境扫描电镜中原位生长磷酸二氢钾单晶体的方法属于材料学科领域。本发明应用ESEM的可控真空环境和变温条件,原位生长KDP单晶体,同时原位观测KDP的溶解和生长过程。本发明通过控制ESEM样品室内的水蒸气压力、相对湿度及样品台的温度,由KDP多晶粉末制备出KDP单晶体:溶解KDP多晶粉末的压力为600-670Pa,温度为-1-1℃,φ≈100%;生长KDP单晶体的压力为600-650Pa、温度为1-2.2℃,φ≈91-95%。本发明方法还适用于生长其它水溶性晶体,并为动态研究水溶性晶体的微观形貌特征,生长机理,水湿环境对水溶性晶体的影响等基础问题提供了方法和条件。

著录项

  • 公开/公告号CN101555623A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2009-10-14

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京工业大学;

    申请/专利号CN200910084277.6

  • 发明设计人 吉元;张隐奇;卫斌;王丽;

    申请日2009-05-15

  • 分类号C30B29/14;C30B7/00;C30B30/00;

  • 代理机构北京思海天达知识产权代理有限公司;

  • 代理人沈波

  • 地址 100124 北京市朝阳区平乐园100号

  • 入库时间 2023-12-17 22:44:28

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-01-25

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C30B29/14 公开日:20091014 申请日:20090515

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2009-12-09

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-10-14

    公开

    公开

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