发光设备和电子镇流器中通过高频吸收实现的电磁兼容性改进

摘要

本发明涉及通过引入高频吸收的衰减元件(F)、特别是铁氧体珠来改进带有集成的电子镇流器的发光设备或者电子镇流器的电磁兼容性。

说明书

技术领域

本发明涉及一种带有集成的电子镇流器(EVG)的发光设备和一种电子镇流器本身，其中改进了电磁兼容性(EMV)。

背景技术

在带有电子镇流器的发光设备的情况下以及在电子镇流器本身的情况下，会出现高频范围中(特别是在20MHz至30MHz之间)的干扰。这些干扰是由于发光设备或者镇流器的接地的金属部件和设备附近的环境之间的谐振现象而引起的，其中接地导体引线(PE)的电感和发光设备壳体、镇流器壳体的金属部件与环境之间的电容性耦合起到特别的作用。这些干扰劣化了EMV质量，并且会导致在遵守EMV要求时的难度。

已公开了在EVG中的用于减小这种干扰的电路技术上的措施，这些措施意味着一定的开销。

发明内容

本发明基于该技术问题，提出了一种带有集成的EVG的发光设备和一种EVG本身，它们显示出关于高频范围中的这种谐振现象方面的改进的电磁兼容性。

该问题通过一种带有集成的电子镇流器的发光设备来解决，其特征在于吸收高频辐射的材料构成的衰减元件，该衰减元件设计为：通过高频辐射吸收来衰减在发光设备的PE接线端子和发光设备中的接地端子之间的、发光设备的线路中的高频电流。

本发明还通过一种用于灯的电子镇流器来解决，其特征在于相应的衰减元件，该衰减元件设计为：衰减在镇流器的PE接线端子和镇流器中的接地端子之间的、镇流器的线路中的高频电流。

优选的扩展方案在从属权利要求中进行说明。

在此，术语“发光设备”通常与术语“灯”不同，并不涉及发光器材本身，即并不涉及负责实际的光产生的消耗品，而是涉及一种照明装置，其带有发光器材或者用于容纳发光器材，即容纳灯。发光设备于是具有壳体并且通常具有罩、反射器、半透明的遮盖玻璃等等。

本发明的基本思想在于，在发光设备或者镇流器中设置有衰减元件，该衰减元件通过材料特定的高频衰减特性在感兴趣的频率范围中产生高频辐射损耗，并且由此衰减干扰性的谐振现象以及减小其幅度。在此，特别是考虑具有合适的磁性特性的材料，这些材料可以通过磁性的高频损耗来进行衰减。这特别适合于铁磁性的陶瓷原料，特别是也由氧化铁构成的原料，这些原料也作为衰减铁氧体(Daempfungsferrite)而已知。

在此，这种衰减元件优选不应被集成到导体本身中(铁氧体对此也会缺少导电能力)，而是应当仅仅安装在导体附近。优选的是，衰减元件包围导体，其方式是其为带有穿通开口的本体。特别是考虑所谓的珠(即小的带有孔的类似球的本体)、环或者小管。

在所要求保护的镇流器情况下，要衰减的线路位于镇流器的PE接线端子和镇流器壳体上或者其相应的部件上的接地接触部之间。由此，涉及谐振现象的线路电流必须通过该线路。

在发光设备的情况下，发光设备的PE接线端子通常整体上与集成在发光设备中的镇流器的PE接线端子不同，或者镇流器可能也没有专用的PE接线端子。优选的是，要由衰减元件来衰减的线路在此位于发光设备的PE接线端子和对谐振现象一同负责的发光设备壳体部件的接地接触部或者发光设备壳体整体的接地接触部之间。与发光设备壳体(部件)关联并且参与谐振现象的电容于是引起通过该线路的衰减的电流。

另一方面，集成的镇流器的导电壳体也可以涉及相当大的电容，使得同样优选的是，该线路位于发光设备的PE接线端子和镇流器壳体的接地接触部之间。优选的是两种情况都存在。特别地，可以相对于发光设备壳体(部件)进行镇流器接地接触，使得通过在发光设备的PE接线端子和发光设备壳体(部件)上的接地接触部之间的线路的衰减也已经一同检测至镇流器壳体的电流。

在本发明的所有变形方案中，原则上优选的是，将衰减元件集成到接线端子中。当迄今谈及衰减元件要衰减PE接线端子和确定的接地接触部之间的线路时，表述“之间”意味着从实际的用于外部线路的连接接触部开始的区域。优选地集成到端子中意味着，衰减元件要集成在接线端子本体中，即例如在通常的、在用于外部线路的连接接触部和内部的连接接触部之间的导电件附近的电源插头(Luesterklemme)的情况下那样，确切地说，特别是具有包围该导电件的形式。术语“集成在”在此意味着，衰减元件要包含或者保持在包括其绝缘保持装置的部件中，使得其被发光设备制造商或者镇流器制造商与端子一同地安装并且安装在端子中，并且可能甚至已可以购买。

附图说明

图1-3示出了带有发光设备接线端子的三个根据本发明的电路装置，其中所述发光设备接线端子带有集成的衰减元件。

图4示出了在未对高频干扰衰减的情况下带有电子镇流器的发光设备的干扰频谱。

图5示出了带有电子镇流器和根据本发明的发光设备接线端子的发光设备的干扰频谱，其中该发光设备接线端子带有根据图1的电路中的集成的衰减元件。

具体实施方式

图1示出了根据本发明的具有发光设备接线端子LK的电路装置，该发光设备接线端子LK具有用于带有电子镇流器EVG的发光设备的集成的衰减元件F。衰减元件F是高频吸收的铁氧体珠，并且集成在发光设备接线端子本身中。在此，铁氧体珠位于用于外部的PE电网馈电线的接线端子接触部和引导至发光设备壳体的内部线路之间的导电连接上。于是，带有衰减元件F的线路区段连接在发光设备壳体和接地导体PE之间，其中在此电子镇流器EVG通过发光设备壳体(或者线路)并且最后通过衰减元件与接地导体PE相连。在该电路装置中，衰减元件F吸收了干扰频谱(该干扰频谱是由发光设备壳体和电子镇流器的壳体之间的谐振、特别是由发光设备壳体和环境之间的电容性耦合产生的)，并且通过这种方式衰减高频干扰。

图2示出了根据图1的电路装置的变形。在此，铁氧体珠同样集成在发光设备接线端子中，然而仅仅设置到PE连接线路上，镇流器EVG借助该PE连接线路通过发光设备接线端子连接到外部PE线路上。发光设备的壳体或者如所示的那样与其无关地连接到外部的PE馈电线上，或者在该实施例中也可以构建为完全没有接地接触部，例如在塑料发光设备的情况中那样。在此，于是发光设备壳体的电容性影响并不起决定性作用，并且在根据本发明的衰减中未被考虑。

相反，在图3中的变形方案中，通过同样集成到发光设备接线端子中的铁氧体珠F仅仅影响通往如下线路的导电桥：该线路通往发光设备壳体的接地接触部。因为与图1中的变形方案不同，镇流器EVG在此通过至发光设备接线端子的馈电线连接到外部的PE线路上，并且该馈电线并未通过铁氧体珠被一同检测，因此这里并未一同考虑EVG壳体的电容性影响。该影响在个别情况中会是不明显的。与附图不同，由于发光设备壳体的接地也可以省去导电的和接地的EVG壳体。然而当然也可以存在第二铁氧体珠或者共同的铁氧体珠用于壳体接地馈电线。

图4示出了在没有衰减元件并且由此没有高频干扰抑制的情况下具有电子镇流器的发光设备的干扰频谱(在50Ω的情况下，单位为dBμV)。此外，在图4中示出了针对准峰(QP)值和平均值(AV)的要遵守的标准值曲线。所确定的干扰电平在10MHz至30MHz的频率范围中明显超过要遵守的关于准峰值(60dBμV)和平均值(50dBμV)的标准值，其中过冲了大约5dBμV。

图5示出了相同的、具有带有发光设备接线端子和集成的衰减元件的电子镇流器的发光设备的干扰频谱，其中该集成的衰减元件带有根据图1的电路装置。低于在10MHz至30MHz之间的频率范围中规定的关于准峰(QP)值和平均值(AV)的标准值，其中下冲大约5dBμV。