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膜生长期间的特性改变

摘要

将诸如InGaN的材料的生长表面曝光于一个被定向至受控位置的小直径的激光束下,所述定向例如通过扫描反射镜。在曝光位置上,材料的特征可被改变。一个实施方案中,在发生激光曝光之处,选定材料的摩尔分数被降低。一个实施方案中,材料在MBE或CVD腔中生长。

著录项

  • 公开/公告号CN101501243A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2009-08-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 康乃尔研究基金会有限公司;

    申请/专利号CN200780013589.7

  • 发明设计人 W·J·沙夫;陈晓东;

    申请日2007-02-16

  • 分类号C23C16/04;

  • 代理机构北京北翔知识产权代理有限公司;

  • 代理人钟守期

  • 地址 美国纽约

  • 入库时间 2023-12-17 22:23:16

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-06-19

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C23C16/04 申请公布日:20090805 申请日:20070216

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2009-09-30

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-08-05

    公开

    公开

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