一种具有SiN缓冲层的BST薄膜材料及其制备方法

摘要

一种具有SiN缓冲层的BST薄膜材料及其制备方法，属于材料技术领域，涉及钛酸锶钡薄膜介电损耗与漏电流的双层介质薄膜材料。所述具有SiN缓冲层的BST薄膜材料包括衬底、下电极、上电极和BST薄膜，其中下电极与上电极之间还具有SiN缓冲层。所述具有SiN缓冲层的BST薄膜材料的制备方法包括SiN缓冲层的制备步骤。本发明在常规MIM结构的BST薄膜材料中增加了SiN缓冲层，能够显著降低薄膜的介电损耗，并且通过调节SiN层的厚度能够调节薄膜介电损耗；通过设计合适的BST厚度与SiN厚度的比值，能够得到介电可调率适中、介电损耗很低的介质薄膜；SiN缓冲层的引入还能显著降低BST薄膜的漏电流。本发明可以满足微波可调器件与微电子材料对BST薄膜性能的要求。