首页> 中国专利> 用于从下向上填充间隙的介电材料沉积与回蚀方法

用于从下向上填充间隙的介电材料沉积与回蚀方法

摘要

本发明揭示用于减少介电层中薄膜破裂的方法。该些方法可包含沉积一第一介电薄膜在一基材上以及蚀刻第一介电薄膜以移除第一介电薄膜的顶部的步骤。该些方法亦可包括沉积一第二介电薄膜在已蚀刻的第一介电薄膜上,以及移除第二介电薄膜的顶部。此外,该些方法可包括退火第一与第二介电薄膜以形成介电层,其中移除第一与第二介电薄膜的顶部能减少介电层中的应力。

著录项

  • 公开/公告号CN101473426A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2009-07-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 应用材料股份有限公司;

    申请/专利号CN200780023173.3

  • 申请日2007-06-21

  • 分类号H01L21/76(20060101);

  • 代理机构31100 上海专利商标事务所有限公司;

  • 代理人陆嘉

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2023-12-17 22:14:42

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-07-09

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/76 申请公布日:20090701 申请日:20070621

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2011-12-28

    著录事项变更 IPC(主分类):H01L21/76 变更前: 变更后: 申请日:20070621

    著录事项变更

  • 2009-08-26

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-07-01

    公开

    公开

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