带有凹槽状第二触点区域的功率半导体元件

摘要

本发明描述了一种功率半导体元件及2种制造该功率半导体元件的方法。该半导体元件带有一个经过第一掺杂的半导体基体和一个pn结，它是通过一个经过第二掺杂的触点区域与在该基体中形成的掺杂轮廓所构成的。这里第二触点区域处于基体的第二表面上并且延伸扩张到基体体积内部。另外这里用于第二触点区域的基体具有一个凹槽状的空隙，带有一个侧面和一个底面，这里该底面是作为第二表面的第二部分面而形成的，第二触点区域从底面开始延伸扩张，经过侧面直至第一部分面。另外这里的pn结在与侧面相邻处具有一个曲率。