一种氧化亚镍/硅纳米线及应用于制备可集成超级电容器电极材料

摘要

本发明公开了一种氧化亚镍/硅纳米线(NiO/SiNWs)及将这种材料应用于制备高性能可集成超级电容器电极材料。其制备方法包括如下步骤：(1)以硅纳米线为骨架，在硅纳米线上以无电镀技术沉积镍薄膜，制得镍－硅纳米线复合物；(2)将所得镍－硅纳米线复合物经过快速热退火氧化处理。本发明利用硅纳米线具有的尺度小、比表面积大、表面原子存在大量未饱和键，具有很强的表面活性等优点，以其作为负载NiO纳米结构的骨架，所得到的氧化亚镍/硅纳米线有较高的比电容、较低的等效内阻、良好的充放电特性，而且与集成电路工艺兼容，可应用于制备高性能可集成超级电容器电极材料。