获取非挥发存储器中失效二进制位分布信息的方法与装置

摘要

本发明提供了一种获取非挥发存储器中失效二进制位分布信息的方法，对非挥发存储器的模块进行测试，确定失效的模块，并得到失效模块的失效类型与相应的失效地址信息；提供一个测试命令集，分别采用测试命令集内的每一个测试命令，对失效类型与该测试命令相对应的失效模块中的二进制位进行测试，确定失效二进制位的地址和失效类型。本发明还提供了一种获取非挥发存储器中失效二进制位地址分布信息的装置。本发明提供的技术方案可以节约测试时间，降低测试对器件的损伤。

说明书

技术领域

本发明涉及半导体器件电性能失效分析的方法与装置，特别涉及获取非挥发存储器中失效二进制位分布信息的方法与装置。

背景技术

非挥发存储器(Non-volatile memory，NVM)是目前广泛应用在大规模集成电路领域的器件之一。具有存储数据的功能，并可以提供数据的写入、读出、以及擦除操作，即使切断电源，其存储的内容也不消失，具有保存数据的功能。闪存(Flash Memory)是一种常见的非挥发存储器。非挥发存储器主要由非挥发存储器模块通过阵列的方式组成，每一个非挥发存储器模块都包括了一定数量的二进制位，每一个二进制位用于存储信号“0”或者“1”。例如某非挥发存储器是一种闪存，包含有2000个模块，而每个模块又包含有1M(1M＝1×10⁶)个二进制位，因此该闪存是一个2G(1G＝1×10⁹)二进制位容量的闪存。

在对非挥发存储器进行测试的过程中，首先要做芯片测试(Chip Probe，CP)，CP的测试结果就是生产线上所谓的良率。而随后进行的电性能失效分析测试是为了提升良率而做的分析测试。电性能失效分析测试的目的是进一步分析CP测试中失效的那些非挥发存储器。电性能失效分析测试可以检测出失效存储器的失效模式，反馈给生产部门以提升良率。在对非挥发存储器进行电性能失效分析测试的过程中，需要分别测试每一个存储器模块的工作状态是否正常，对于工作状态不正常的模块，更需要进一步得到模块内部失效二进制位的地址分布，以对失效的原因做进一步的统计学分析。

对于一个非挥发存储器进行失效性测试时，需要首先针对其中的每一个模块，检测不同的工作模式下是否失效。例如，对于闪存来说，首先要针对其中的每一个闪存模块，检测其在不同的工作模式下是否失效。通常需要检测的工作模式包括：读“1”、写入检测程序、读检测程序、反转检测程序、读“0”、擦除、擦除后读“1”，共七种工作模式。然后，对于发生失效的闪存模块，进一步检测其中每一个二进制位的失效情况。通过检测获取失效二进制位的分布信息，失效二进制位的分布信息中详细标明了闪存中每个失效二进制位的地址与失效类型。

目前常见的获取失效二进制位分布信息的方法如附图1所示。对于一个非挥发存储器，例如闪存，首先实施步骤S01a，检测“读‘1’”；然后实施S01b，记录“读‘1’失效”二进制位地址。实施完S01a～S01b步骤之后，即得到了产生“读‘1’失效”的二进制位对应的地址。之后再依次实施S02a，检测“写入检测程序”；S02b，记录“写入检测程序失效”二进制位地址；S03a，检测“读检测程序”；S03b，记录“读检测程序失效”二进制位地址；S04a，检测“反转检测程序”；S04b，记录“反转检测程序失效”二进制位地址；S05a，检测“读‘0’”；S05b，记录“读‘0’失效”二进制位地址；S06a，检测“擦除”；S06b，记录“擦除失效”二进制位地址；S07a，检测“擦除后读‘1’”；S07b，记录“擦除后读‘1’失效”二进制位地址。S08，获得包括七种工作状态的失效二进制位的地址分布信息。图1所示即为上述的测试过程。据此过程得到的失效二进制位的分布信息，可用于对非挥发存储器失效现象的统计学分析。

在中国专利申请02147054.5中还可以发现更多与上述技术方案相关的信息。该发明记载的一种测试阵列与测试存储阵列的方法，采用其提供的测试阵列对半导体存储器进行测试，可以提高测试的准确性。

非挥发存储器中失效二进制位分布信息是非挥发存储器生产与测试中的关键数据之一，是非挥发存储器测试工作中必须进行的测试环节。其结果反馈至生产线上的工程师们，可以用来指导工程师们有针对性地查找问题、改善工艺、提高产品良率。但该数据的检测需要对每一个失效模块中的每一个二进制位分别进行检测，因此耗时很长。对一个晶圆进行全面的检测，通常要十小时以上，甚至几十个小时。生产实践表明，对于一个闪存晶圆上的每一个非挥发存储器模块都采用图1所示的方法进行失效分析，整个测试周期耗时将达到十八个小时左右。

现有技术中，由于需要分别检测每种工作模式下每个二进制位是否失效，因此需要花费大量的测试时间，才可以得到所有失效的非挥发存储器中失效二进制位的地址和失效类型，不利于提高集成电路工艺线的效率。并且每测试一种工作状态，都需要将测试探针依次同非挥发存储器中对应的引线点相接触，若测试七种不同的工作状态，就需要将探针七次接触引线点，因此在测试的过程中非常容易引起引线点的沾污，严重时甚至会损坏引线点。测试对非挥发存储器的影响，导致经过测试的存储器即使性能完好，也无法在后续的工艺中继续使用，因此造成了浪费，降低了生产线的成品率。因此需要一种可以缩短测试周期，提高测试速度，对非挥发存储器影响较小的非挥发存储器中失效二进制位分布信息的获取方法。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种快速的，对非挥发存储器影响较小的非挥发存储器中失效二进制位分布信息的获取方法和装置。

为了解决上述问题，本发明提供了一种获取非挥发存储器中失效二进制位分布信息的方法，对非挥发存储器的模块进行测试，确定失效的模块，并得到失效模块的失效类型与相应的失效地址信息；提供一个测试命令集，分别采用测试命令集内的每一个测试命令，对失效类型与该测试命令相对应的失效模块中的二进制位进行测试，确定失效二进制位的地址和失效类型。

可选的，在对失效类型与该测试命令相对应的失效模块中的二进制位进行测试时，包括如下测试步骤：选择测试命令集中的一个未被检测的测试命令；选择失效类型与此测试命令相对应的失效模块地址；将此测试命令施加于选定的失效模块中的每一个二进制位；判断选定的失效模块中的每一个二进制位在执行测试命令时是否发生失效。

可选的，所述非挥发存储器包括闪存。

可选的，所述失效类型包括读“1”失效、写入检测程序失效、读检测程序失效、反转检测程序失效、读“0”失效、擦除失效和擦除后读“1”失效。

可选的，所述测试命令集，包括读“1”命令、写入检测程序命令、读检测程序命令、反转检测程序命令、读“0”命令、擦除命令和擦除后读“1”命令。

可选的，所述确定失效二进制位的地址和失效类型具体为，若某二进制位在测试中失效，即认为该二进制位属失效二进制位，其失效类型为该失效二进制位所属失效模块的失效类型。

本发明还提供了一种获取非挥发存储器中失效二进制位分布信息的装置，包括失效模块测试部分和失效二进制位测试部分，失效模块测试部分用于对非挥发存储器的模块进行测试，确定失效的模块，并得到失效模块的失效类型与相应的失效地址信息；失效二进制位测试部分用于对非挥发存储器的二进制位进行测试，提供一个测试命令集，分别采用测试命令集内的每一个测试命令，根据失效模块测试部分的测试结果，对失效类型与该测试命令相对应的失效模块中的二进制位进行测试，确定失效二进制位的地址和失效类型。

可选的，失效二进制位测试部分包括如下测试单元：命令选择单元，用于在测试命令集中选择一个未被检测的测试命令；地址选择单元，用于根据测试命令，选择失效类型与此测试命令相对应的失效模块地址；命令发生单元，用于将测试命令施加于失效模块中的每一个二进制位；失效判断单元，用于根据测试结果，判断失效模块中的每一个二进制位在执行命令测试命令时是否发生失效。

可选的，所述非挥发存储器包括闪存。

可选的，所述失效类型包括读“1”失效、写入检测程序失效、读检测程序失效、反转检测程序失效、读“0”失效、擦除失效和擦除后读“1”失效。

可选的，所述测试命令集包括读“1”命令、写入检测程序命令、读检测程序命令、反转检测程序命令、读“0”命令、擦除命令和擦除后读“1”命令。

可选的，所述确定失效二进制位的地址和失效类型具体为，若某二进制位在测试中失效，即认为该二进制位属失效二进制位，其失效类型为该失效二进制位所属失效模块的失效类型。

与现有技术相比，本发明提供的获取非挥发存储器中失效二进制位地址分布信息的方法与装置，其优点在于：

1)在做二进制位的失效分析时，并不对已经确定在该模式下并未失效的模块中的二进制位进行失效分析。因此只测试失效模块里面的二进制位，减少了需要测试的二进制位数量，从而可以节省测试时间。

2)在测试过程中，减少测试探针同非挥发存储器中对应的引线点的接触次数，尽量避免了测试过程对非挥发存储器的影响。

附图说明

图1所示为现有技术获取非挥发存储器中失效二进制位分布信息的实施流程图；

图2a与图2b所示为本发明获取非挥发存储器中失效二进制位分布信息方法的具体实施方式的示意图；

图3a与图3b所示为本发明获取非挥发存储器中失效二进制位分布信息装置的具体实施方式的示意图；

图4所示为本发明的实施例中，用于测试的非挥发存储器内部模块地址与二进制位地址的分配示意图。

具体实施方式

以下具体实施方式以及实施例提供的获取非挥发存储器中失效二进制位分布信息的方法与装置，二进制位在某一测试命令下失效，即认为该二进制位属失效二进制位，并终止对该二进制位的测试，可以节约测试时间。并且在测试过程中，测试探针同非挥发存储器中对应的引线点只接触一次，尽量避免了测试过程对非挥发存储器的影响。

下述为本发明获取非挥发存储器中失效二进制位分布信息方法的具体实施方式。

图2a所示为本发明获取非挥发存储器中失效二进制位地址分布信息方法的具体实施方式的示意图。步骤S101，对非挥发存储器的模块进行测试，确定失效的模块，并得到失效模块的失效类型与相应的失效地址信息；步骤S102，提供一个测试命令集，分别采用测试命令集内的每一个测试命令，对失效类型与该测试命令相对应的失效模块中的二进制位进行测试，确定失效二进制位的地址和失效类型。

所述非挥发存储器包括闪存。

参考步骤S101，对非挥发存储器的模块进行测试，确定失效的模块，并得到失效模块的失效类型与相应的失效地址信息。该步骤可以确定非挥发存储器中失效模块的地址和失效类型。所述的地址是指模块在非挥发性存储器中的编号，在同一个非挥发性存储器中，每一个模块对应的编号是唯一的，因此可以通过编号确定模块的位置。所述的失效类型包括读“1”失效、写入检测程序失效、读检测程序失效、反转检测程序失效、读“0”失效、擦除失效和擦除后读“1”失效等失效类型。非挥发存储器在初始状态下所有的二进制位储存的信息均为“1”，读“1”失效是指在非挥发存储器的初始状态下，读取模块中的“1”，如果无法读取，则表明该模块失效。类似的，写入检测程序失效，是指将一组专门用于检测的数据程序写入非挥发存储器的过程中发生失效；读检测程序失效是指读取刚写入的数据，检查其与写入的数据是否吻合的过程中发生失效；反转检测程序失效是指将前述用于检测的数据程序反转，即原为“0”的模块反转为“1”，原为“1”的模块反转为“0”，在此过程中发生失效；读“0”失效是指将所有模块均写入“0”并读取的过程中发生失效；擦除失效是指将所有模块存储的数据擦去的过程中发生失效；擦除后读“1”失效，是指在擦除数据之后，检查能否读取模块中的“1”的过程中发生失效。

上述七种失效类型，对应非挥发存储器模块的七种工作模式，包括读“1”模式、写入检测程序模式、读检测程序模式、反转检测程序模式、读“0”模式、擦除模式和擦除后读“1”模式。这七种工作模式是递进式的相互关联的。参照所述七种工作模式的先后次序，当确认非挥发存储器模块在某一种工作模式下失效时，则在其后的工作模式下也一定会发生失效。在对非挥发存储器模块进行失效测试时，按照上述的次序依次测试非挥发存储器模块的七种工作模式。当其在某一工作模式下发生失效时，即认为该模块的失效类型为该测试模式所对应的失效类型，记录该失效模块的地址和失效类型，并终止对该模块的测试，因为该模块在后续的测试模式下也必然失效。

所述非挥发存储器包括闪存，闪存是目前应用领域中最常见的非挥发性存储器之一。所述非挥发性存储器也包括其它具有数据保持特点的存储器件。

图2b所示，为步骤S102中，选定测试命令集内的某一测试命令之后，所包括的测试步骤的具体实施方式示意图。步骤S102a，命令选择步骤，选择测试命令集中的一个未被检测的测试命令；步骤S102b，地址选择步骤，选择失效类型与此测试命令相对应的失效模块地址；步骤S102c，命令发生步骤，将此测试命令施加于步骤S102b选定的失效模块中的每一个二进制位；步骤S102d，失效判断步骤，判断步骤S102b中选定的失效模块中的每一个二进制位在执行步骤S102c中的测试命令时是否发生失效。

上述测试步骤执行完毕后，检查是否测试命令集中所有测试命令已检测完毕，若尚未全部检测完毕，则重复步骤S102a至S102d，若全部测试完毕，则结束失效二进制位测试。

参考步骤S102，提供一个测试命令集，分别采用测试命令集内的每一个测试命令，对失效类型与该测试命令相对应的失效模块中的二进制位进行测试，确定失效二进制位的地址和失效类型，所述测试命令集，包括读“1”命令、写入检测程序命令、读检测程序命令、反转检测程序命令、读“0”命令、擦除命令和擦除后读“1”命令等测试命令。

所述测试命令集中的测试命令，与步骤S101测试非挥发存储器模块时定义的失效类型是相互对应的。

参考步骤S102b，将此测试命令施加于步骤S102b选定的失效模块中的每一个二进制位。在此测试命令下，只对失效类型与该测试命令相对应的失效模块中的二进制位进行失效分析，而忽略其它模块中的二进制位。所述测试命令与步骤S101测试非挥发存储器模块时定义的失效类型是一一对应的。例如，当施加的命令是读“1”命令时，仅对失效类型属于读“1”失效的模块中的二进制位进行失效分析。对以已经确定在此模式下并未失效的模块，仍然进行失效分析是没有意义的，因此在此模式的测试中，可以不对其进行分析。因为失效模块数目通常来说是远远小于正常模块的数目，只测试失效模块里面的二进制位，大大减少了需要测试的二进制位数量，因此可以节省大量的测试时间。

并且，在实际的操作过程中，对模块的二进制位进行测试，需要将测试用的探针同该模块的引线点相接触。在本实施例中，对于步骤S101中测得的失效模块，仅在进行与其失效类型相对应的二进制位测试时，才将测试用的探针同该模块的引线点相接触，因此可以减少测试探针同非挥发存储器中对应的引线点的接触次数，尽量避免了测试过程对非挥发存储器的影响

参考步骤S102d，所述失效判断步骤中，若某二进制位在测试中失效，即认为该二进制位属失效二进制位，其失效类型为该失效二进制位所属失效模块的失效类型。

参考步骤S102a～d，以采用检测读“1”命令为例，首先选择失效类型为读“1”失效的失效模块地址，再将读“1”测试命令施加于选定的失效模块中的每一个二进制位，然后判断选定的失效模块中的每一个二进制位在执行读“1”命令时是否发生失效。

类似的对于检测命令集中的写入检测程序命令、读检测程序命令、反转检测程序命令、读“0”命令、擦除命令和擦除后读“1”命令等其他测试命令，也根据上述的方式，依次得到在该测试命令下的失效二进制位的地址，其失效类型均对应其所属失效模块的失效类型。分别选定测试命令集中的每一个测试命令执行上述步骤之后，可以得到非挥发存储器失效二进制位的地址和失效类型。

对于非挥发性存储器，发生失效模块的失效类型与该模块内部发生失效的二进制位的失效类型必然是相同的。在实施步骤S101的时候，已经确定了失效模块的地址和失效的类型。因此，在后续二进制位的测试过程中，只对失效类型与该测试命令相对应的失效模块中的二进制位进行失效分析，而忽略其它模块中的二进制位，可以缩短测试时间。

上述步骤实施完毕后得到的失效二进制位的地址和失效类型即为所要获取的失效二进制位分布信息。

下述另一具体实施方式为本发明获取非挥发存储器中失效二进制位分布信息装置的具体实施方式。

图3a所示为本发明获取非挥发存储器中失效二进制位分布信息装置的具体实施方式的示意图。失效模块测试部分P201，用于对非挥发存储器的模块进行测试，确定失效的模块，并得到失效模块的失效类型与相应的失效地址信息；失效二进制位测试部分P202，用于对非挥发存储器的二进制位进行测试，提供一个测试命令集，分别采用测试命令集内的每一个测试命令，根据失效模块测试部分P201的测试结果，对失效类型与该测试命令相对应的失效模块中的二进制位进行测试，确定失效二进制位的地址和失效类型。

参考失效模块测试部分P201，确定失效的模块，并得到失效模块的失效类型与相应的失效地址信息。所述的失效类型包括读“1”失效、写入检测程序失效、读检测程序失效、反转检测程序失效、读“0”失效、擦除失效和擦除后读“1”失效等失效类型。

所述非挥发存储器包括闪存。

上述各种失效类型的意义以及相互关系，可以参考前一具体实施方式。

图3b所示，为失效二进制位测试部分P202中，选定测试命令集内的某一测试命令之后，对失效模块中的二进制位进行测试的具体实施方式示意图。命令选择单元U202a，用于在测试命令集中选择一个未被检测的测试命令；地址选择单元U202b，用于根据测试命令，选择失效类型与此测试命令相对应的失效模块地址，所述测试命令由命令选择单元U202a提供；命令发生单元U202c，用于将测试命令施加于失效模块中的每一个二进制位，测试命令由命令选择单元U202a提供，失效模块的地址由地址选择单元U202b提供；失效判断单元U202d，用于根据命令发生单元U202c产生的测试结果，判断失效模块中的每一个二进制位在执行命令测试命令时是否发生失效。

在一个测试命令检测完毕后，检查是否测试命令集中所有测试命令已检测完毕，若尚未全部检测完毕，则重复执行上述单元U202a至U202d，若全部测试完毕，则结束失效二进制位测试。

参考失效二进制位测试部分P202，所述测试命令集包括读“1”命令、写入检测程序命令、读检测程序命令、反转检测程序命令、读“0”命令、擦除命令和擦除后读“1”命令等测试命令。

参考失效判断单元U202d，若某二进制位在测试中失效，即认为该二进制位属失效二进制位，其失效类型为该失效二进制位所属失效模块的失效类型。

关于上述各测试部分与测试单元的详细描述，可以参考前一具体实施方式。

由上述装置产生的失效二进制位的地址和失效类型即为所要获取的失效二进制位分布信息。

下面将结合附图对本发明的实施例做详细的说明。

实施例一

以下是本发明获取非挥发存储器中失效二进制位分布信息方法的一个实施例。

如图4所示，某闪存共有12个闪存模块，编号分别为ES00、ES01、ES02、ES03、ES10、ES11、ES12、ES13、ES20、ES21、ES22和ES23，每个闪存模块有100个二进制位，编号分别为1～100、101～200、201～300、301～400、1001～1100、1101～1200、1201～1300、1301～1400、2001～2100、2101～2200、2201～2300和2301～2400，二进制位所属的模块依次与上述的闪存模块次序相对应。

下面采用前文所述之获取非挥发存储器中失效二进制位地址分布信息方法的具体实施方式，获取该闪存的失效地址信息。

首先对闪存的模块进行测试，确定闪存中失效的闪存模块的地址和失效类型。依次检测闪存模块的读“1”、写入检测程序、读检测程序、反转检测程序、读“0”、擦除和擦除后读“1”等七种工作模式。

发现ES02在读“1”模式下发生失效，而其他模块工作正常，则ES02模块的失效类型为读“1”失效。

继续进行后续测试，发现ES13在写入检测程序模式下发生失效，而其他模块工作正常，则ES13模块的失效类型为写入检测程序失效。

继续进行后续测试，发现ES21在读“0”模式下发生失效，而其他模块工作正常，则ES21模块的失效类型为读“0”失效。

继续进行后续测试，其余模块均顺利通过测试，则可以确定闪存中共有三个模块失效：ES02模块，失效类型为读“1”失效；ES13模块，失效类型为写入检测程序失效；ES21模块，失效类型为读“0”失效。

其次对闪存中的二进制位进行测试，确定失效的二进制位，并记录每个失效二进制位的地址和失效类型。

对闪存施加读“1”命令，根据对闪存模块进行测试的结果，失效类型为读“1”失效的闪存模块为ES02，因此在该命令下，仅对ES02中的二进制位进行测试，发现地址为248～280和297的二进制位失效，其它二进制位工作正常，记录248～280和297为失效二进制位的地址。该地址属于ES02模块，失效类型为读“1”失效。

继续进行后续测试，对闪存施加写入检测程序命令，仅对失效类型为写入检测程序失效的模块ES13进行测试，发现地址为1355和1399的二进制位失效，其它二进制位工作正常，记录1355和1399为失效二进制位的地址。该地址属于ES13模块，失效类型为写入检测程序失效。

对读检测程序命令、反转检测程序命令，对闪存模块的测试结果显示，并未发现与之对应的失效模块，因此跳过该检测步骤。

继续进行后续测试，对非挥发存储器施加读“0”命令、仅对失效类型为读“0”失效的模块ES21进行测试，发现地址为2188的二进制位失效，其它二进制位工作正常，记录2188为失效二进制位的地址。该地址属于ES21模块，失效类型为读“0”失效。

后续的擦除命令和擦除后读“1”命令，对闪存模块的测试结果显示，并未发现与之对应的失效模块，因此跳过该检测步骤。

据此可确定248～280、297、1355、1399和2188为失效二进制位的地址。

上述步骤实施完毕后，得到该闪存的失效二进制位分布信息：

248～280和297，失效类型为读“1”失效；1355和1399，失效类型为写入检测程序失效；2188，失效类型为读“0”失效。

上述的失效二进制位的地址和失效类型即为本实施例所要获取的失效二进制位分布信息。

实施例二

以下是本发明获取非挥发存储器中失效二进制位分布信息装置的一个实施例。

仍然选用图4所示之闪存，采用前文所述之获取非挥发存储器中失效二进制位地址分布信息装置的具体实施方式，获取该闪存的失效地址信息。

闪存中闪存模块地址和二进制位地址的分布，可参考实施例一所述之内容。

首先应用失效模块测试部分，确定闪存中失效的闪存模块的地址和失效类型。依次检测闪存模块的读“1”、写入检测程序、读检测程序、反转检测程序、读“0”、擦除和擦除后读“1”等七种工作模式。

发现ES02在读“1”模式下发生失效，而其他模块工作正常，则ES02模块的失效类型为读“1”失效。

继续进行后续测试，发现ES13在写入检测程序模式下发生失效，而其他模块工作正常，则ES13模块的失效类型为写入检测程序失效。

继续进行后续测试，发现ES21在读“0”模式下发生失效，而其他模块工作正常，则ES21模块的失效类型为读“0”失效。

继续进行后续测试，其余模块均顺利通过测试，则可以确定闪存中共有三个模块失效：ES02模块，失效类型为读“1”失效；ES13模块，失效类型为写入检测程序失效；ES21模块，失效类型为读“0”失效。

其次应用失效二进制位测试部分，对闪存中的二进制位进行测试，确定失效的二进制位，并记录每个失效二进制位的地址和失效类型。

对闪存施加读“1”命令，根据失效模块测试部分提供的数据，失效类型为读“1”失效的闪存模块为ES02，因此在该命令下，仅对ES02中的二进制位进行测试，发现地址为248～280和297的二进制位失效，其它二进制位工作正常，记录248～280和297为失效二进制位的地址。该地址属于ES02模块，失效类型为读“1”失效。

继续进行后续测试，对闪存施加写入检测程序命令，仅对失效类型为写入检测程序失效的模块ES13进行测试，发现地址为1355和1399的二进制位失效，其它二进制位工作正常，记录1355和1399为失效二进制位的地址。该地址属于ES13模块，失效类型为写入检测程序失效。

对读检测程序命令、反转检测程序命令，失效模块测试部分提供的数据显示，并未发现与之对应的失效模块，因此跳过该检测步骤。

继续进行后续测试，对非挥发存储器施加读“0”命令、仅对失效类型为读“0”失效的模块ES21进行测试，发现地址为2188的二进制位失效，其它二进制位工作正常，记录2188位失效二进制位的地址。该地址属于ES21模块，失效类型为读“0”失效。

后续的擦除命令和擦除后读“1”命令，失效模块测试部分提供的数据显示，并未发现与之对应的失效模块，因此跳过该检测步骤。

据此可确定248～280、297、1355、1399和2188为失效二进制位的地址。

采用上述装置，可以得到该闪存的失效二进制位分布信息：

248～280和297，失效类型为读“1”失效；1355和1399，失效类型为写入检测程序失效；2188，失效类型为读“0”失效。

上述的失效二进制位的地址和失效类型即为本实施例所要获取的失效二进制位分布信息。

以上具体实施方式和实施例提供的获取非挥发存储器中失效二进制位分布信息的方法与装置，其优点在于：

1)在做二进制位的失效分析时，并不对已经确定在该模式下并未失效的模块中的二进制位进行失效分析。因此只测试失效模块里面的二进制位，减少了需要测试的二进制位数量，从而可以节省测试时间。

2)在测试过程中，减少测试探针同非挥发存储器中对应的引线点的接触次数，尽量避免了测试过程对非挥发存储器的影响。

虽然本发明已以较佳实施例披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。