法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2013-01-30
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C14/24 授权公告日:20100714 终止日期:20111205 申请日:20081205
专利权的终止
2010-07-14
授权
授权
2009-07-29
实质审查的生效
实质审查的生效
2009-06-03
公开
公开
技术领域:
本发明涉及一种金属纳米颗粒单分散的方法,特别是一种用二次蒸发法制备单分散Cu纳米颗粒模板的方法。
背景技术:
当前,随着各种一维纳米材料制备技术的不断发展,金属纳米颗粒产生了全新的用途,就是可以作为催化剂种子模板,促进一维纳米结构的定向生长。Cu的熔点为1083℃,与一维半导体纳米线的制备温度相当,因此它做为催化剂时不易蒸发。这样就要求纳米颗粒具备非常高的单分散程度;除此之外,还要求纳米颗粒的尺寸在100nm以下,粒径分布均匀;颗粒的分散密度要尽量大,从而保证整个模板的覆盖率。
目前纳米颗粒分散方法主要分为物理分散,如机械搅拌、超声波振动等和化学分散,加入分散剂,改变颗粒表面性质。但都仅是将大量纳米粒子的团聚转变成为少量纳米粒子的团聚,或是部分纳米粒子的单分散,分散能力并不强,达不到完全单分散的程度。
发明内容:
本发明的目的是针对上述技术中存在的不足,提供一种用二次蒸发法制备单分散Cu纳米颗粒模板的方法。
通过二次蒸发,提高了加热蒸发的均匀性,使沉积过程均匀稳定,能够得到单分散的单层Cu纳米颗粒模板。
本发明的目的是这样实现的:其特征在于:(1)将盛有纯度99.9%的Cu粉的刚玉瓷舟装入刚玉套管,在1300℃、300Torr N2气的条件下保温40-60min,套管的内壁均匀的分布上一层Cu;(2)蒸发得到的刚玉套管做为第二次蒸发的Cu源,以P-111型Si片为基底,流动Ar气保护,气体流速100sccm,在温度1300℃恒温30-50min,制备出单分散的Cu纳米颗粒模板。
本发明的优点是,沉积过程均匀稳定,纳米颗粒的单分散性好,制备的模板满足定向生长一维半导体纳米材料的要求,解决了常规物理、化学分散方法不能彻底分散纳米颗粒的难题,并且可以通过调节实验温度、恒温时间和气体流速有效控制颗粒尺寸、分散密度和覆盖率,因此该法是一种非常有效的制备单分散Cu纳米颗粒模板方法。
附图说明:
图1是以该法制备的模板的扫描电子显微镜照片
图2是模板上Cu纳米颗粒的粒度分布图
图3是该模板的能谱图
具体实施方式:
具体实施方式是:第一步将盛有纯度99.9%的Cu粉的刚玉瓷舟装入刚玉套管,把套管连同瓷舟一起装入快速升温管式电炉的加热中心,在1300℃、300TorrN2气的条件下保温40-60min,套管的内壁则会均匀的分布上一层Cu,作为下步蒸发的Cu源;第二步把尺寸为1cm2的P-111型Si片经过10min的超声波振荡清洗,置于上步处理后的内套管中,然后在流动Ar气保护下,气体流速100sccm,以25℃/min的速率将炉管升温致1300℃,恒温30-50min,炉管自然冷却致室温,钝化4-8小时后取出Si片,即得到单分散Cu纳米颗粒模板。
对模板完成喷金过程后放入JSM-6301F场发射扫描电子显微镜中进行微观形貌观察,及利用Oxford能谱仪进行化学成份分析。图1可以看出模板上颗粒呈单分散排布,颗粒尺寸均匀,粒径分布23-96nm,平均54nm,分散密度1.96×1010/cm2,覆盖率45%。图2可以看出粒径在40-70nm的颗粒数量占据了83%,非常少数的颗粒粒径在40nm以下或70nm以上,该样品的粒度均匀性优异。图3可以看出模板上的纳米粒子是Cu,而Si、O、Au三种元素的峰分别来源于Si基片、Cu纳米颗粒钝化后表面形成的CuO薄膜、以及制备SEM样品时的喷金过程。
机译: 如果不进行尺寸选择过程,则制备金属,合金,金属氧化物和复合金属氧化物的纳米颗粒的方法,该纳米颗粒的单次分散性具有优异的晶体特性。
机译: 一种用于制备法伦登银,金属硫化物或含细菌的金属硒化物的稳定分散体的方法,用于银盐扩散法
机译: 单分散胺化马罗酮胶溶液的制备方法及二次分散液及其在细胞生物脉标中的应用