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具有低电阻共同源极及高电流可驱动性的内存单元阵列

摘要

在本发明的电阻式内存阵列中,包含的有基板、于该基板中的多个源极区域、以及连接该多个源极区域之导体,该导体系定位在相邻于该基板,以与多个源极区域一起形成共同源极。在一实施例中,该导体具有T形剖面的狭长金属体(elongated metal body)(378)。在另一实施例中,该导体系碟状(plate-like)金属体(766)。

著录项

  • 公开/公告号CN101449379A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2009-06-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 斯班逊有限公司;

    申请/专利号CN200780018096.2

  • 发明设计人 M·田口;

    申请日2007-04-05

  • 分类号H01L27/10;H01L27/105;

  • 代理机构北京戈程知识产权代理有限公司;

  • 代理人程伟

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2023-12-17 22:01:59

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-03-09

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L27/10 申请公布日:20090603 申请日:20070405

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2009-10-21

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-06-03

    公开

    公开

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