具有扩大的控制栅极结构的快闪存储器装置及其制造方法

摘要

本发明揭示一种具有扩大的控制栅极结构的快闪存储器装置及其各种制造方法。在一个说明性实施例中，所述装置包含：多个浮动栅极结构(124)，其形成于半导电衬底上方；隔离结构(114)，其位于所述多个浮动栅极结构(124)的每一者之间；以及控制栅极结构(128)，其包括多个扩大的末端部分(130)，所述扩大的末端部分(130)的每一者均位于邻近的浮动栅极结构(128)之间。