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通过利用低k间隔物来减小互连线间电容的方法

摘要

描述一种用于减小半导体器件内的线间电容的方法及其示范器件。该器件包括设置在蚀刻停止材料与导电层之间的间隔层。通过间隔层将蚀刻停止层与导电层隔开可以显著减小半导体器件中的线间电容。

著录项

  • 公开/公告号CN101416285A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2009-04-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 英特尔公司;

    申请/专利号CN200780012167.8

  • 发明设计人 J·何;K·J·费希尔;

    申请日2007-03-29

  • 分类号H01L21/31;H01L21/28;

  • 代理机构中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人柯广华

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2023-12-17 21:44:58

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-11-07

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/31 申请公布日:20090422 申请日:20070329

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2009-06-17

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-04-22

    公开

    公开

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