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公开/公告号CN101416285A
专利类型发明专利
公开/公告日2009-04-22
原文格式PDF
申请/专利权人 英特尔公司;
申请/专利号CN200780012167.8
发明设计人 J·何;K·J·费希尔;
申请日2007-03-29
分类号H01L21/31;H01L21/28;
代理机构中国专利代理(香港)有限公司;
代理人柯广华
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2023-12-17 21:44:58
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2012-11-07
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/31 申请公布日:20090422 申请日:20070329
发明专利申请公布后的视为撤回
2009-06-17
实质审查的生效
2009-04-22
公开
机译: 使用低K间隔减少互连线间电容的方法
机译: 使用多孔绝缘体的互连方法以减小线间电容
机译:具有低滤波电容的纹波减小的p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管电荷泵电路
机译:利用新型调制方法在PUC5转换器中实现快速的无传感器电压平衡和电容器尺寸减小
机译:Cu /低k后端互连工艺中用于射频应用的金属-绝缘-金属(MIM)电容器的制造方法
机译:低寄射电容多级互连的低介电常数间隔电介质的可靠性
机译:用于光学互连的低电容硅CMOS光电探测器。
机译:使用26-二羟基萘通过电化学方法在多孔硅电极中组装石墨烯互连网络的高性能固态超级电容器
机译:利用IEKS方法进行伴随灵敏度分析的同时减小输电网络的面积并去除电容
机译:利用低影响技术从密歇根州安特里姆组目前禁区恢复碳氢化合物的方法